Pieza de media luna de 8 pulgadas para fábrica de reactores LPE

Fabricante de discos de rotación planetaria recubiertos de carburo de tantalio

Anillo de enfoque de grabado de SiC sólido de China

Susceptor de barril recubierto de SiC para proveedor LPE PE2061S

Recubrimiento de carburo de tantalio

VeTek Semiconductor es un fabricante líder de materiales de recubrimiento de carburo de tantalio para la industria de semiconductores. Nuestra principal oferta de productos incluye piezas con revestimiento de carburo de tantalio CVD, piezas con revestimiento de TaC sinterizado para el crecimiento de cristales de SiC o procesos de epitaxia de semiconductores. Aprobado ISO9001, VeTek Semiconductor tiene un buen control de calidad. VeTek Semiconductor se dedica a convertirse en innovador en la industria de recubrimientos de carburo de tantalio mediante la investigación y el desarrollo continuos de tecnologías iterativas.

Los principales productos sonAnillo desertor de recubrimiento de carburo de tantalio, anillo de desviación recubierto de TaC, piezas de media luna recubiertas de TaC, disco de rotación planetario recubierto de carburo de tantalio (Aixtron G10), crisol recubierto de TaC; Anillos recubiertos de TaC; Grafito poroso recubierto de TaC; Susceptor de grafito con revestimiento de carburo de tantalio; Anillo guía recubierto de TaC; Placa recubierta de carburo de tantalio TaC; Susceptor de oblea recubierta con TaC; Anillo de revestimiento TaC; Cubierta de grafito con revestimiento TaC; Trozo recubierto de TaCetc., la pureza es inferior a 5 ppm y puede cumplir con los requisitos del cliente.

El grafito con revestimiento de TaC se crea recubriendo la superficie de un sustrato de grafito de alta pureza con una fina capa de carburo de tantalio mediante un proceso patentado de deposición química de vapor (CVD). La ventaja se muestra en la siguiente imagen:

Excellent properties of TaC coating graphite

El recubrimiento de carburo de tantalio (TaC) ha llamado la atención debido a su alto punto de fusión de hasta 3880 °C, excelente resistencia mecánica, dureza y resistencia a los choques térmicos, lo que lo convierte en una alternativa atractiva a los procesos de epitaxia de semiconductores compuestos con requisitos de temperatura más altos. como el sistema Aixtron MOCVD y el proceso de epitaxia LPE SiC. También tiene una amplia aplicación en el proceso de crecimiento de cristales de SiC del método PVT.

Características clave:

●Estabilidad de temperatura

●Pureza ultraalta

●Resistencia a H2, NH3, SiH4,Si

●Resistencia al stock térmico.

●Fuerte adherencia al grafito.

●Cobertura de revestimiento conformado

● Tamaño hasta 750 mm de diámetro (El único fabricante en China alcanza este tamaño)

Aplicaciones:

●Portador de oblea

● Susceptor de calentamiento inductivo

● Elemento calefactor resistivo

●Disco satelital

●cabezal de ducha

●Anillo guía

●Receptor LED Epi

●Boquilla de inyección

●anillo de enmascaramiento

● Escudo térmico

Recubrimiento de carburo de tantalio (TaC) en una sección transversal microscópica:

the microscopic cross-section of Tantalum carbide (TaC) coating

Parámetro del recubrimiento de carburo de tantalio semiconductor VeTek:

Propiedades físicas del recubrimiento TaC.
Densidad	14,3 (g/cm³)
Emisividad específica	0.3
Coeficiente de expansión térmica	6.3 10^-6/K
Dureza (HK)	2000 Hong Kong
Resistencia	1×10^-5Ohmios*cm
Estabilidad térmica	<2500℃
Cambios de tamaño de grafito	-10~-20um
Espesor del recubrimiento	Valor típico ≥20um (35um±10um)

Datos EDX del recubrimiento TaC：

EDX data of TaC coating

Datos de la estructura cristalina del recubrimiento TaC:

Elemento	Porcentaje atómico
	pt. 1	pt. 2	pt. 3	Promedio
CK	52.10	57.41	52.37	53.96
A ellos	47.90	42.59	47.63	46.04

Mandril de revestimiento de TaC Disco planetario con revestimiento de TaC Placa recubierta de TaC Placa de rotación de recubrimiento TaC Receptor de recubrimiento TaC Cubierta de recubrimiento CVD TaC Anillo de recubrimiento CVD TaC Placa de revestimiento TaC

Recubrimiento de carburo de silicio

VeTek Semiconductor se especializa en la producción de productos de recubrimiento de carburo de silicio ultrapuro; estos recubrimientos están diseñados para aplicarse a grafito purificado, cerámica y componentes metálicos refractarios.

Nuestros recubrimientos de alta pureza están destinados principalmente a su uso en las industrias de semiconductores y electrónica. Sirven como capa protectora para portadores de obleas, susceptores y elementos calefactores, protegiéndolos de los entornos corrosivos y reactivos que se encuentran en procesos como MOCVD y EPI. Estos procesos son parte integral del procesamiento de obleas y la fabricación de dispositivos. Además, nuestros recubrimientos son adecuados para aplicaciones en hornos de vacío y calentamiento de muestras, donde se encuentran ambientes de alto vacío, reactivos y oxígeno.

En VeTek Semiconductor, ofrecemos una solución integral con nuestras capacidades avanzadas de taller mecánico. Esto nos permite fabricar los componentes base utilizando grafito, cerámica o metales refractarios y aplicar los recubrimientos cerámicos de SiC o TaC internamente. También brindamos servicios de recubrimiento para piezas suministradas por el cliente, lo que garantiza flexibilidad para satisfacer diversas necesidades.

Nuestros productos de recubrimiento de carburo de silicio se utilizan ampliamente en epitaxia de Si, epitaxia de SiC, sistema MOCVD, proceso RTP/RTA, proceso de grabado, proceso de grabado ICP/PSS, proceso de varios tipos de LED, incluidos LED azul y verde, LED UV y UV profundo. LED, etc., que se adapta a equipos de LPE, Aixtron, Veeco, Nuflare, TEL, ASM, Annealsys, TSI, etc.

Piezas del reactor que podemos hacer:

Recubrimiento de carburo de silicio varias ventajas únicas:

Silicon Carbide Coating several unique advantages

Parámetro del recubrimiento de carburo de silicio semiconductor VeTek:

Propiedades físicas básicas del recubrimiento CVD SiC.
Propiedad	Valor típico
Estructura cristalina	FCC fase β policristalina, principalmente orientada (111)
Densidad	3,21 g/cm³
Dureza	Dureza Vickers 2500 (carga de 500 g)
Tamaño del grano	2~10μm
Pureza química	99,99995%
Capacidad calorífica	640 J·kg-1·K-1
Temperatura de sublimación	2700 ℃
Resistencia a la flexión	415 MPa RT de 4 puntos
Módulo de Young	Curva de 430 Gpa 4 puntos, 1300 ℃
Conductividad térmica	300W·m-1·K-1
Expansión Térmica (CTE)	4,5×10-6K-1

SEM data and structure of CVD SIC films

Oblea

Sustrato de obleaEs una oblea hecha de material semiconductor monocristalino. El sustrato puede ingresar directamente al proceso de fabricación de obleas para producir dispositivos semiconductores, o puede procesarse mediante un proceso epitaxial para producir obleas epitaxiales.

El sustrato de oblea, como estructura de soporte básica de los dispositivos semiconductores, afecta directamente el rendimiento y la estabilidad de los dispositivos. Como "base" para la fabricación de dispositivos semiconductores, es necesario llevar a cabo sobre el sustrato una serie de procesos de fabricación, como el crecimiento de películas finas y la litografía.

Resumen de tipos de sustrato:

●Oblea de silicio monocristalino: actualmente el material de sustrato más común, ampliamente utilizado en la fabricación de circuitos integrados (CI), microprocesadores, memorias, dispositivos MEMS, dispositivos de potencia, etc.;

●sustrato SOI: se utiliza para circuitos integrados de alto rendimiento y baja potencia, como circuitos analógicos y digitales de alta frecuencia, dispositivos RF y chips de administración de energía;

●Sustratos semiconductores compuestos: Sustrato de arseniuro de galio (GaAs): dispositivos de comunicación por microondas y ondas milimétricas, etc. Sustrato de nitruro de galio (GaN): utilizado para amplificadores de potencia de RF, HEMT, etc.Sustrato de carburo de silicio (SiC): utilizado para vehículos eléctricos, convertidores de potencia y otros dispositivos de potencia. Sustrato de fosfuro de indio (InP): utilizado para láseres, fotodetectores, etc.;

●Sustrato de zafiro: utilizado para la fabricación de LED, RFIC (circuito integrado de radiofrecuencia), etc.;

Vetek Semiconductor es un proveedor profesional de sustratos de SiC y sustratos SOI en China. NuestroSustrato de SiC tipo semiaislante 4HySustrato de SiC tipo semiaislante 4Hse utilizan ampliamente en componentes clave de equipos de fabricación de semiconductores.

Vetek Semiconductor se compromete a proporcionar soluciones técnicas y productos de sustrato de oblea avanzados y personalizables de diversas especificaciones para la industria de semiconductores. Esperamos sinceramente convertirnos en su proveedor en China..

ALD

Thin film preparation processes can be divided into two categories according to their film forming methods: physical vapor deposition (PVD) and chemical vapor deposition (CVD), of which CVD process equipment accounts for a higher proportion. Atomic layer deposition (ALD) is one of the chemical vapor deposition (CVD).

Atomic layer deposition technology (Atomic Layer Deposition, referred to as ALD) is a vacuum coating process that forms a thin film on the surface of a substrate layer by layer in the form of a single atomic layer. ALD technology is currently being widely adopted by the semiconductor industry.

Atomic layer deposition process:

Atomic layer deposition usually includes a cycle of 4 steps, which is repeated as many times as needed to achieve the required deposition thickness. The following is an example of ALD of Al₂O₃, using precursor substances such as Al(CH₃) (TMA) and O₂.

Step 1) Add TMA precursor vapor to the substrate, TMA will adsorb on the substrate surface and react with it. By selecting appropriate precursor substances and parameters, the reaction will be self-limiting.

Step 2) Remove all residual precursors and reaction products.

Step 3) Low-damage remote plasma irradiation of the surface with reactive oxygen radicals oxidizes the surface and removes surface ligands, a reaction that is also self-limiting due to the limited number of surface ligands.

Step 4) Reaction products are removed from the chamber.

Only step 3 differs between thermal and plasma processes, with H₂O being used in thermal processes and O₂ plasma being used in plasma processes. Since the ALD process deposits (sub)-inch-thick films per cycle, the deposition process can be controlled at the atomic scale.

1st Half-Cycle Purge 2nd Half-Cycle Purge

Highlights of Atomic Layer Deposition (ALD):

1) Grow high-quality thin films with extreme thickness accuracy, and only grow a single atomic layer at a time

2) Wafer thickness can reach 200 mm, with typical uniformity <±2%

3) Excellent step coverage even in high aspect ratio structures

4) Highly fitted coverage

5) Low pinhole and particle levels

6) Low damage and low temperature process

7) Reduce nucleation delay

8) Applicable to a variety of materials and processes

Compared with traditional chemical vapor deposition (CVD) and physical vapor deposition (PVD), the advantages of ALD are excellent three-dimensional conformality, large-area film uniformity, and precise thickness control, etc. It is suitable for growing ultra-thin films on complex surface shapes and high aspect ratio structures. Therefore, it is widely applicable to substrates of different shapes and does not require control of reactant flow uniformity.

Comparison of the advantages and disadvantages of PVD technology, CVD technology and ALD technology:

PVD technology	CVD technology	ALD technology
Faster deposition rate	Average deposition rate	Slower deposition rate
Thicker film thickness, poor control of nano-level film thickness precision	Medium film thickness (depends on the number of reaction cycles)	Atomic-level film thickness
The coating has a single directionality	The coating has a single directionality	Good uniformity of large-area film thickness
Poor thickness uniformity	Average step coverage	Best step coverage
Poor step coverage	\	Dense film without pinholes

Advantages of ALD technology compared to CVD technology (Source: ASM)

Vetek Semiconductor is a professional ALD Susceptor products supplier in China. Our ALD Susceptor, SiC coating ALD susceptor and ALD Planetary Susceptor are widely used in key components of semiconductor manufacturing equipment. Vetek Semiconductor is committed to providing advanced and customizable ALD Susceptor products and technical solutions of various specifications for the semiconductor industry. We sincerely look forward to becoming your supplier in China.

Productos Destacados

Sobre nosotros

VeTek semiconductor Technology Co., LTD, fundada en 2016, es un proveedor líder de materiales de recubrimiento avanzados para la industria de semiconductores. Nuestro fundador, un ex experto del Instituto de Materiales de la Academia China de Ciencias, fundó la empresa centrándose en el desarrollo de soluciones de vanguardia para la industria.

Nuestras principales ofertas de productos incluyenRecubrimientos CVD de carburo de silicio (SiC), Recubrimientos de carburo de tantalio (TaC), SiC a granel, polvos de SiC y materiales de SiC de alta pureza. Los productos principales son susceptores de grafito recubiertos de SiC, anillos de precalentamiento, anillos de desviación recubiertos de TaC, piezas en forma de media luna, etc., la pureza es inferior a 5 ppm y pueden cumplir con los requisitos del cliente.