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China Recubrimiento de carburo de tantalio Fabricante, proveedor, fábrica
VeTek Semiconductor es un fabricante líder de materiales de revestimiento de carburo de tantalio para la industria de semiconductores. Nuestra principal oferta de productos incluye piezas con revestimiento de carburo de tantalio CVD, piezas con revestimiento de TaC sinterizado para el crecimiento de cristales de SiC o procesos de epitaxia de semiconductores. Aprobado ISO9001, VeTek Semiconductor tiene un buen control de calidad. VeTek Semiconductor se dedica a convertirse en innovador en la industria de recubrimientos de carburo de tantalio mediante la investigación y el desarrollo continuos de tecnologías iterativas.
Los principales productos sonAnillo desertor de recubrimiento de carburo de tantalio, anillo de desviación recubierto de TaC, piezas de media luna recubiertas de TaC, disco de rotación planetario recubierto de carburo de tantalio (Aixtron G10), crisol recubierto de TaC; Anillos recubiertos de TaC; Grafito poroso recubierto de TaC; Susceptor de grafito con revestimiento de carburo de tantalio; Anillo guía recubierto de TaC; Placa recubierta de carburo de tantalio TaC; Susceptor de oblea recubierta con TaC; Anillo de revestimiento TaC; Cubierta de grafito con revestimiento TaC; Trozo recubierto de TaCetc., la pureza es inferior a 5 ppm y puede cumplir con los requisitos del cliente.
El grafito con revestimiento de TaC se crea recubriendo la superficie de un sustrato de grafito de alta pureza con una fina capa de carburo de tantalio mediante un proceso patentado de deposición química de vapor (CVD). La ventaja se muestra en la siguiente imagen:
El recubrimiento de carburo de tantalio (TaC) ha llamado la atención debido a su alto punto de fusión de hasta 3880 °C, excelente resistencia mecánica, dureza y resistencia a los choques térmicos, lo que lo convierte en una alternativa atractiva a los procesos de epitaxia de semiconductores compuestos con requisitos de temperatura más altos. como el sistema Aixtron MOCVD y el proceso de epitaxia LPE SiC. También tiene una amplia aplicación en el proceso de crecimiento de cristales de SiC del método PVT.
Características clave:
Estabilidad de temperatura
Pureza ultraalta
Resistencia a H2, NH3, SiH4,Si
Resistencia al stock térmico.
Fuerte adherencia al grafito.
Cobertura de revestimiento conformado
Tamaño hasta 750 mm de diámetro (El único fabricante en China alcanza este tamaño)
Aplicaciones:
Portador de oblea
Susceptor de calentamiento inductivo
Elemento calefactor resistivo
Disco satelital
cabezal de ducha
Anillo guía
Receptor LED Epi
Boquilla de inyección
anillo de enmascaramiento
Escudo térmico
Recubrimiento de carburo de tantalio (TaC) en una sección transversal microscópica:
Parámetro del recubrimiento de carburo de tantalio semiconductor VeTek:
| Propiedades físicas del recubrimiento TaC. | |
| Densidad | 14,3 (g/cm³) |
| Emisividad específica | 0.3 |
| Coeficiente de expansión térmica | 6.3 10-6/K |
| Dureza (HK) | 2000 Hong Kong |
| Resistencia | 1×10-5Ohmios*cm |
| Estabilidad térmica | <2500℃ |
| Cambios de tamaño de grafito | -10~-20um |
| Espesor del recubrimiento | Valor típico ≥20um (35um±10um) |
Datos EDX del recubrimiento TaC：
Datos de la estructura cristalina del recubrimiento TaC
| Elemento | Porcentaje atómico | |||
| pt. 1 | pt. 2 | pt. 3 | Promedio | |
| CK | 52.10 | 57.41 | 52.37 | 53.96 |
| ta m | 47.90 | 42.59 | 47.63 | 46.04 |
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Como fabricante y proveedor profesional Recubrimiento de carburo de tantalio en China, tenemos nuestra propia fábrica. Si necesita servicios personalizados para satisfacer las necesidades específicas de su región o desea comprar Recubrimiento de carburo de tantalio avanzado y duradero fabricado en China, puede dejarnos un mensaje.
