Sustrato de SiC tipo 4H N

Semiconductores VetekSustrato de SiC tipo 4H NLos productos tienen excelentes propiedades eléctricas, térmicas y mecánicas, por lo que este producto se usa ampliamente en el procesamiento de dispositivos semiconductores que requieren alta potencia, alta frecuencia, alta temperatura y alta confiabilidad.

La intensidad del campo eléctrico de ruptura del SiC tipo 4H N es tan alta como 2,2-3,0 MV/cm. Esta característica del producto permite la fabricación de dispositivos más pequeños para manejar voltajes más altos, por lo que nuestro sustrato de SiC tipo 4H N se utiliza a menudo para fabricar MOSFET, Schottky y JFET.

La conductividad térmica de la oblea de SiC tipo 4H N es de aproximadamente 4,9 W/cm·K, lo que ayuda a disipar el calor de manera efectiva, reducir la acumulación de calor, extender la vida útil del dispositivo y es adecuada para aplicaciones de alta densidad de potencia.

Además, la oblea de SiC tipo N 4H de Vetek Semiconductor aún puede tener un rendimiento electrónico estable a temperaturas de hasta 600 °C, por lo que se utiliza a menudo para fabricar sensores de alta temperatura y es muy adecuada para entornos extremos.

Al hacer crecer una capa epitaxial de carburo de silicio sobre un sustrato de carburo de silicio tipo n, la oblea homoepitaxial de carburo de silicio se puede convertir en dispositivos de energía como SBD, MOSFET, IGBT, etc., que se utilizan en vehículos eléctricos, transporte ferroviario, alta -transmisión y transformación de energía, etc.

Vetek Semiconductor continúa buscando una mayor calidad de cristal y calidad de procesamiento para satisfacer las necesidades de los clientes. Actualmente, están disponibles productos de 6 y 8 pulgadas. Los siguientes son los parámetros básicos del producto del sustrato SIC de 6 y 8 pulgadas:

Sustrato de SiC tipo N de 6 pulgadas ESPECIFICACIONES BÁSICAS DEL PRODUCTO:

Sustrato de SiC tipo N de 8 pulgadas ESPECIFICACIONES BÁSICAS DEL PRODUCTO:

Terminología y método de detección de sustrato de SiC tipo 4H N: