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China Polvo de SiC de alta pureza Fabricante, proveedor, fábrica

VeTek Semiconductor es un pionero de la industria que se especializa en el desarrollo, producción y comercialización de polvo de SiC de alta pureza, conocido por su pureza ultra alta, distribución uniforme del tamaño de partículas y excelente estructura cristalina. La empresa cuenta con un equipo de investigación y desarrollo compuesto por expertos senior para promover constantemente la innovación tecnológica. Con tecnología y equipos de producción avanzados, la pureza, el tamaño de las partículas y el rendimiento del polvo de SiC de alta pureza se pueden controlar con precisión. El estricto control de calidad garantiza que cada lote cumpla con los estándares industriales más exigentes, proporcionando un material base estable y confiable para sus aplicaciones de alta gama.


Ventajas del polvo de SiC de alta pureza de VeTek Semiconductor:

1. Alta pureza: el contenido de SiC es del 99,9999 %, el contenido de impurezas es muy bajo, lo que reduce el impacto adverso en el rendimiento de los dispositivos semiconductores y fotovoltaicos y mejora la consistencia y confiabilidad de los productos.

2. Excelentes propiedades físicas: incluida alta dureza, alta resistencia y alta resistencia al desgaste, para que pueda mantener una buena estabilidad estructural durante el procesamiento y el uso.

3. Alta conductividad térmica: puede conducir el calor rápidamente, ayudar a mejorar la eficiencia de disipación de calor del dispositivo, reducir la temperatura de funcionamiento y extender así la vida útil del dispositivo.

4. Bajo coeficiente de expansión: el cambio de tamaño es pequeño cuando cambia la temperatura, lo que reduce el agrietamiento del material o la disminución del rendimiento causada por la expansión y contracción térmica.

5. Buena estabilidad química: resistencia a la corrosión ácida y alcalina, puede permanecer estable en un entorno químico complejo.

6. Características de banda prohibida ancha: con alta intensidad de campo eléctrico de ruptura y velocidad de deriva de saturación de electrones, adecuado para la fabricación de dispositivos semiconductores de alta temperatura, alta presión, alta frecuencia y alta potencia.

7. Alta movilidad de electrones: favorece la mejora de la velocidad de trabajo y la eficiencia de los dispositivos semiconductores.

8. Protección del medio ambiente: Contaminación relativamente pequeña del medio ambiente en el proceso de producción y uso.


El polvo de SiC de alta pureza tiene las siguientes aplicaciones en las industrias fotovoltaica y de semiconductores:

La industria de semiconductores:

- Material del sustrato: el polvo de SiC de alta pureza se puede utilizar para fabricar sustratos de carburo de silicio, que se pueden utilizar para fabricar dispositivos de potencia de alta frecuencia, alta temperatura y alta presión y dispositivos de RF.

Crecimiento epitaxial: en el proceso de fabricación de semiconductores, se puede utilizar polvo de carburo de silicio de alta pureza como materia prima para el crecimiento epitaxial, que se utiliza para hacer crecer capas epitaxiales de carburo de silicio de alta calidad sobre el sustrato.

-Materiales de embalaje: se puede utilizar polvo de carburo de silicio de alta pureza para fabricar materiales de embalaje semiconductores para mejorar el rendimiento de disipación de calor y la confiabilidad del paquete.

Industria fotovoltaica:

Células de silicio cristalino: en el proceso de fabricación de células de silicio cristalino, se puede utilizar polvo de carburo de silicio de alta pureza como fuente de difusión para la formación de uniones p-n.

- Batería de película delgada: en el proceso de fabricación de baterías de película delgada, se puede utilizar polvo de carburo de silicio de alta pureza como objetivo para la deposición por pulverización catódica de la película de carburo de silicio.


Especificación del polvo de carburo de silicio
Pureza g/cm3 99.9999
Densidad 3.15-3.20 3.15-3.20
Modulos elasticos gpa 400-450
Dureza Alto voltaje (0,3) kg/mm2 2300-2850
Tamaño de partícula malla 200~25000
Tenacidad a la fractura MPa.m1/2 3.5-4.3
Resistividad electrica ohmios-cm 100-107


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