VeTek Semiconductor es un fabricante profesional y líder de productos de carburo de tantalio poroso en China. El carburo de tantalio poroso generalmente se fabrica mediante el método de deposición química de vapor (CVD), lo que garantiza un control preciso de su tamaño y distribución de poros, y es una herramienta material dedicada a ambientes extremos de alta temperatura. Bienvenido a su consulta adicional.
El carburo de tantalio poroso (TaC) semiconductor VeTek es un material cerámico de alto rendimiento que combina las propiedades del tantalio y el carbono. Su estructura porosa es muy adecuada para aplicaciones específicas en altas temperaturas y ambientes extremos. TaC combina excelente dureza, estabilidad térmica y resistencia química, lo que lo convierte en una opción de material ideal para el procesamiento de semiconductores.
El carburo de tantalio poroso (TaC) está compuesto de tantalio (Ta) y carbono (C), en el que el tantalio forma un fuerte enlace químico con los átomos de carbono, lo que proporciona al material una durabilidad y resistencia al desgaste extremadamente altas. La estructura porosa de Porous TaC se crea durante el proceso de fabricación del material y la porosidad se puede controlar según las necesidades específicas de la aplicación. Este producto suele ser fabricado pordeposición química de vapor (CVD)método, asegurando un control preciso de su tamaño de poro y distribución.
Estructura molecular del carburo de tantalio.
El carburo de tantalio poroso (TaC) semiconductor VeTek tiene las siguientes características del producto:
- Porosidad: La estructura porosa le confiere diferentes funciones en escenarios de aplicación específicos, incluida la difusión de gases, la filtración o la disipación controlada de calor.
- Alto punto de fusión: El carburo de tantalio tiene un punto de fusión extremadamente alto de aproximadamente 3880 °C, lo que es adecuado para ambientes con temperaturas extremadamente altas.
- Excelente dureza: El TaC poroso tiene una dureza extremadamente alta de aproximadamente 9-10 en la escala de dureza de Mohs, similar al diamante. y puede resistir el desgaste mecánico en condiciones extremas.
- Estabilidad térmica: El material de carburo de tantalio (TaC) puede permanecer estable en entornos de alta temperatura y tiene una fuerte estabilidad térmica, lo que garantiza su rendimiento constante en entornos de alta temperatura.
- Alta conductividad térmica: A pesar de su porosidad, el carburo de tantalio poroso aún conserva una buena conductividad térmica, lo que garantiza una transferencia de calor eficiente.
- Bajo coeficiente de expansión térmica: El bajo coeficiente de expansión térmica del carburo de tantalio (TaC) ayuda a que el material permanezca dimensionalmente estable bajo fluctuaciones significativas de temperatura y reduce el impacto del estrés térmico.
Propiedades físicas del recubrimiento TaC.:
Propiedades físicas deRecubrimiento TaC
Densidad
14,3 (g/cm³)
Emisividad específica
0.3
Coeficiente de expansión térmica
6,3*10-6/K
Dureza (HK)
2000 Hong Kong
Resistencia
1×10-5Omm*cm
Estabilidad térmica
<2500℃
Cambios de tamaño de grafito
-10~-20um
Espesor del revestimiento
Valor típico ≥20um (35um±10um)
En la fabricación de semiconductores, el carburo de tantalio poroso (TaC) desempeña el siguiente papel clave específicos:
En procesos de alta temperatura comograbado con plasmay CVD, el carburo de tantalio poroso semiconductor VeTek se utiliza a menudo como revestimiento protector para equipos de procesamiento. Esto se debe a la fuerte resistencia a la corrosión deRecubrimiento TaCy su estabilidad a altas temperaturas. Estas propiedades aseguran que proteja eficazmente las superficies expuestas a gases reactivos o temperaturas extremas, asegurando así la reacción normal de los procesos de alta temperatura.
En los procesos de difusión, el carburo de tantalio poroso puede servir como una barrera de difusión eficaz para evitar la mezcla de materiales en procesos de alta temperatura. Esta característica se utiliza a menudo para controlar la difusión de dopantes en procesos como la implantación de iones y el control de pureza de obleas semiconductoras.
La estructura porosa del carburo de tantalio poroso semiconductor VeTek es muy adecuada para entornos de procesamiento de semiconductores que requieren un control o filtración precisos del flujo de gas. En este proceso, Porous TaC desempeña principalmente el papel de filtración y distribución de gas. Su inercia química garantiza que no se introduzcan contaminantes durante el proceso de filtración. Esto garantiza efectivamente la pureza del producto procesado.
Recubrimiento de carburo de tantalio (TaC) en una sección transversal microscópica: