Anillo deflector recubierto de TaC

El anillo deflector recubierto de TaC de VeTek Semiconductor es un componente altamente especializado diseñado para procesos de crecimiento de cristales de SiC. El recubrimiento de TaC proporciona una excelente resistencia a altas temperaturas e inercia química para hacer frente a las altas temperaturas y los ambientes corrosivos durante el proceso de crecimiento de cristales. Esto garantiza un rendimiento estable y una larga vida útil del componente, reduciendo la frecuencia de reemplazo y el tiempo de inactividad. Estamos comprometidos a ofrecer productos de calidad a precios competitivos y esperamos ser su socio a largo plazo en China.

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Descripción del Producto

VeTek Semiconductor es un fabricante y proveedor profesional de anillos deflectores recubiertos de TaC en China. Nuestros anillos deflectores recubiertos de TaC son componentes altamente especializados diseñados para su uso en procesos de crecimiento de cristales de SiC. Estos componentes son fundamentales en entornos que requieren resistencia a altas temperaturas, durabilidad excepcional e inercia química inigualable.

El anillo deflector recubierto de TaC está fabricado con carburo de tantalio de alta pureza, que ofrece una excelente conductividad térmica y una resistencia extrema a las altas temperaturas y al choque térmico. El recubrimiento TaC del componente proporciona una capa adicional de protección contra los químicos agresivos y los ambientes hostiles comunes en el crecimiento de cristales. La presencia del recubrimiento aumenta la durabilidad y la vida útil del componente, manteniendo un rendimiento constante durante múltiples ciclos.

El anillo deflector recubierto de TaC puede soportar temperaturas de hasta 2200 °C, lo que lo hace ideal para procesos de alta temperatura. El anillo deflector recubierto de TaC se utiliza principalmente en la industria de semiconductores, específicamente para el crecimiento de cristales de carburo de silicio. Adecuado para reactores de crecimiento de cristales a escala industrial y de investigación.

Parámetro del producto del anillo deflector recubierto de TaC

Propiedades físicas del recubrimiento TaC.
Densidad	14,3 (g/cm³)
Emisividad específica	0.3
Coeficiente de expansión térmica	6,3 10-6/k
Dureza (HK)	2000 Hong Kong
Resistencia	1×10-5 ohmios*cm
Estabilidad térmica	<2500℃
Cambios de tamaño de grafito	-10~-20um
Espesor del revestimiento	Valor típico ≥20um (35um±10um)

Taller de producción de semiconductores VeTek

Descripción general de la cadena de la industria de la epitaxia de chips semiconductores:

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