Parte superior de media luna recubierta de SiC

VeTek Semiconductor es un proveedor líder de piezas de SiC de media luna superior personalizadas recubiertas en China y se especializa en materiales avanzados desde hace más de 20 años. La pieza de media luna superior de VeTek Semiconductor con recubrimiento de SiC está diseñada específicamente para equipos epitaxiales de SiC y sirve como un componente crucial en la cámara de reacción. Fabricado con grafito ultrapuro de calidad semiconductor, garantiza un rendimiento excelente. Le invitamos a visitar nuestra fábrica en China.

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Descripción del Producto

Como fabricante profesional, nos gustaría ofrecerle un revestimiento de SiC de parte superior de media luna de alta calidad.

La parte superior de media luna de VeTek Semiconductor con revestimiento de SiC está diseñada específicamente para la cámara epitaxial de SiC. Tienen una amplia gama de aplicaciones y son compatibles con varios modelos de equipos.

Escenario de aplicación:

En VeTek Semiconductor, nos especializamos en la fabricación de parte superior de media luna recubierta de SiC de alta calidad. Nuestros productos recubiertos de SiC y TaC están diseñados específicamente para cámaras epitaxiales de SiC y ofrecen una amplia compatibilidad con diferentes modelos de equipos.

La parte superior de media luna de VeTek Semiconductor recubierta de SiC sirve como componente en la cámara epitaxial de SiC. Aseguran condiciones de temperatura controlada y contacto indirecto con las obleas, manteniendo el contenido de impurezas por debajo de 5 ppm.

Para garantizar una calidad óptima de la capa epitaxial, monitoreamos cuidadosamente parámetros críticos como el espesor y la uniformidad de la concentración de dopaje. Nuestra evaluación incluye el análisis del espesor de la película, la concentración del portador, la uniformidad y los datos de rugosidad de la superficie para lograr la mejor calidad del producto.

La parte superior de media luna de SiC de VeTek Semiconductor recubierta es compatible con varios modelos de equipos, incluidos LPE, NAURA, JSG, CETC, NASO TECH y más.

Contáctenos hoy para explorar nuestra parte superior de media luna recubierta de SiC de alta calidad o programar una visita a nuestra fábrica.

Propiedades físicas básicas del recubrimiento CVD SiC:

Propiedades físicas básicas del recubrimiento CVD SiC.
Propiedad	Valor típico
Estructura cristalina	FCC fase β policristalina, principalmente orientada (111)
Densidad	3,21 g/cm³
Dureza	Dureza Vickers 2500 (carga de 500 g)
Tamaño de grano	2~10μm
Pureza química	99,99995%
Capacidad calorífica	640 J·kg-1·K-1
Temperatura de sublimación	2700 ℃
Fuerza flexible	415 MPa RT de 4 puntos
El módulo de Young	Curva de 430 Gpa 4 puntos, 1300 ℃
Conductividad térmica	300W·m-1·K-1
Expansión Térmica (CTE)	4,5×10-6K-1

Taller de producción de semiconductores VeTek

Descripción general de la cadena de la industria de la epitaxia de chips semiconductores:

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