China Proceso de epitaxia de SiC Fabricante, proveedor, fábrica

Los exclusivos recubrimientos de carburo de VeTek Semiconductor brindan una protección superior para las piezas de grafito en el proceso de epitaxia de SiC para el procesamiento de materiales semiconductores y semiconductores compuestos exigentes. El resultado es una vida útil prolongada de los componentes de grafito, la preservación de la estequiometría de la reacción, la inhibición de la migración de impurezas a aplicaciones de epitaxia y crecimiento de cristales, lo que resulta en un mayor rendimiento y calidad.

Nuestros recubrimientos de carburo de tantalio (TaC) protegen los componentes críticos de hornos y reactores a altas temperaturas (hasta 2200 °C) del amoníaco caliente, el hidrógeno, los vapores de silicio y los metales fundidos. VeTek Semiconductor tiene una amplia gama de capacidades de medición y procesamiento de grafito para satisfacer sus requisitos personalizados, por lo que podemos ofrecer un recubrimiento de pago o un servicio completo, con nuestro equipo de ingenieros expertos listos para diseñar la solución adecuada para usted y su aplicación específica. .

Cristales semiconductores compuestos

VeTek Semiconductor puede proporcionar recubrimientos TaC especiales para diversos componentes y soportes. A través del proceso de recubrimiento líder en la industria de VeTek Semiconductor, el recubrimiento TaC puede obtener alta pureza, estabilidad a altas temperaturas y alta resistencia química, mejorando así la calidad del producto de las capas cristalinas de TaC/GaN) y EPl, y extendiendo la vida útil de los componentes críticos del reactor.

Aisladores térmicos

Componentes de crecimiento de cristales de SiC, GaN y AlN, incluidos crisoles, portasemillas, deflectores y filtros. Conjuntos industriales que incluyen elementos calefactores resistivos, boquillas, anillos de protección y accesorios de soldadura fuerte, componentes del reactor CVD epitaxial de GaN y SiC, incluidos portadores de obleas, bandejas satélite, cabezales de ducha, tapas y pedestales, componentes MOCVD.

Objetivo:

Portador de oblea LED (diodo emisor de luz)

Receptor ALD (semiconductor)

Receptor EPI (proceso de epitaxia de SiC)

Susceptor satélite recubierto de TaC Susceptor y anillo de revestimiento TaC Piezas de revestimiento TaC Piezas de media luna con revestimiento TaC

Comparación del recubrimiento de SiC y el recubrimiento de TaC: