Anillo de carburo de tantalio
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Anillo de carburo de tantalio

Como fabricante y productor avanzado de productos de anillos de carburo de tantalio en China, el anillo de carburo de tantalio VeTek Semiconductor tiene una dureza, resistencia al desgaste, resistencia a altas temperaturas y estabilidad química extremadamente altas, y se usa ampliamente en el campo de fabricación de semiconductores. Especialmente en CVD, PVD, procesos de implantación de iones, procesos de grabado y procesamiento y transporte de obleas, es un producto indispensable para el procesamiento y la fabricación de semiconductores. Esperamos su consulta adicional.

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Descripción del Producto

El anillo de carburo de tantalio (TaC) de VeTek Semiconductor utiliza grafito de alta calidad como material central y, gracias a su estructura única, es capaz de mantener su forma y propiedades mecánicas en las condiciones extremas de un horno de crecimiento de cristales. La alta resistencia al calor del grafito le confiere una excelente estabilidad en todo elproceso de crecimiento de cristales.


La capa exterior del anillo TaC está cubierta con unarecubrimiento de carburo de tantalio, un material conocido por su dureza extremadamente alta, su punto de fusión superior a 3880 °C y su excelente resistencia a la corrosión química, lo que lo hace especialmente adecuado para entornos operativos de alta temperatura. El recubrimiento de carburo de tantalio proporciona una barrera fuerte para prevenir eficazmente reacciones químicas violentas y garantizar que el núcleo de grafito no sea corroído por los gases del horno a alta temperatura.


Durantecrecimiento de cristales de carburo de silicio (SiC)Las condiciones de crecimiento estables y uniformes son clave para garantizar cristales de alta calidad. El anillo de recubrimiento de carburo de tantalio desempeña un papel vital en la regulación del flujo de gas y la optimización de la distribución de la temperatura dentro del horno. Como anillo guía de gas, el anillo TaC garantiza una distribución uniforme de la energía térmica y los gases de reacción, asegurando un crecimiento uniforme y la estabilidad de los cristales de SiC.


Además, la alta conductividad térmica del grafito combinada con el efecto protector del recubrimiento de carburo de tantalio permite que el anillo guía de TaC funcione de manera estable en el entorno de alta temperatura requerido para el crecimiento de los cristales de SiC. Su resistencia estructural y estabilidad dimensional son cruciales para mantener las condiciones en el horno, lo que afecta directamente la calidad de los cristales producidos. Al reducir las fluctuaciones térmicas y las reacciones químicas dentro del horno, el anillo de recubrimiento TaC ayuda a generar cristales con excelentes propiedades electrónicas para aplicaciones de semiconductores de alto rendimiento.


El anillo de carburo de tantalio de VeTek Semiconductor es un componente clave deHornos de crecimiento de cristales de carburo de silicio.y destaca por su excelente durabilidad, estabilidad térmica y resistencia química. Su combinación única de núcleo de grafito y revestimiento de TaC le permite mantener la integridad estructural y la funcionalidad en condiciones difíciles. Al controlar con precisión la temperatura y el flujo de gas dentro del horno, el anillo de recubrimiento TaC proporciona las condiciones necesarias para la producción de cristales de SiC de alta calidad, que son fundamentales para la producción de componentes semiconductores de vanguardia.


Recubrimiento de carburo de tantalio (TaC) en una sección transversal microscópica

Tantalum carbide (TaC) coating on a microscopic cross-section 1Tantalum carbide (TaC) coating on a microscopic cross-section 2Tantalum carbide (TaC) coating on a microscopic cross-section 3Tantalum carbide (TaC) coating on a microscopic cross-section 4



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