La preparación de epitaxia de carburo de silicio de alta calidad depende de tecnología, equipos y accesorios avanzados. En la actualidad, el método de crecimiento de epitaxia de carburo de silicio más utilizado es la deposición química de vapor (CVD). Tiene las ventajas de un control preciso del espesor de la película epitaxial y la concentración de dopaje, menos defectos, tasa de crecimiento moderada, control automático del proceso, etc., y es una tecnología confiable que se ha aplicado comercialmente con éxito.
La epitaxia CVD de carburo de silicio generalmente adopta un equipo CVD de pared caliente o de pared cálida, lo que garantiza la continuación de la capa de epitaxia 4H SiC cristalino en condiciones de alta temperatura de crecimiento (1500 ~ 1700 ℃), pared caliente o CVD de pared cálida después de años de desarrollo, según el relación entre la dirección del flujo de aire de entrada y la superficie del sustrato. La cámara de reacción se puede dividir en reactor de estructura horizontal y reactor de estructura vertical.
Hay tres indicadores principales para la calidad del horno epitaxial SIC: el primero es el rendimiento del crecimiento epitaxial, que incluye la uniformidad del espesor, la uniformidad del dopaje, la tasa de defectos y la tasa de crecimiento; El segundo es el rendimiento de temperatura del propio equipo, incluida la velocidad de calentamiento/enfriamiento, la temperatura máxima y la uniformidad de la temperatura; Finalmente, la rentabilidad del propio equipo, incluido el precio y la capacidad de una sola unidad.
El CVD horizontal de pared caliente (modelo típico PE1O6 de la empresa LPE), el CVD planetario de pared caliente (modelo típico Aixtron G5WWC/G10) y el CVD de pared cuasi caliente (representado por EPIREVOS6 de la empresa Nuflare) son las principales soluciones técnicas de equipos epitaxiales que se han realizado. en aplicaciones comerciales en esta etapa. Los tres dispositivos técnicos también tienen sus propias características y pueden seleccionarse según las necesidades. Su estructura se muestra a continuación:
Los componentes principales correspondientes son los siguientes:
(a) Parte central de tipo horizontal de pared caliente: las partes de media luna consisten en
Aislamiento aguas abajo
Aislamiento principal superior
Media luna superior
Aislamiento aguas arriba
Pieza de transición 2
Pieza de transición 1
Boquilla de aire exterior
Snorkel cónico
Boquilla exterior de gas argón
Boquilla de gas argón
Placa de soporte de oblea
Pasador de centrado
guardia central
Tapa de protección izquierda aguas abajo
Tapa de protección derecha aguas abajo
Tapa de protección aguas arriba izquierda
Tapa de protección derecha aguas arriba
pared lateral
Anillo de grafito
Fieltro protector
Fieltro de soporte
Bloque de contacto
Cilindro de salida de gas
(b) Tipo planetario de pared cálida
Disco planetario con revestimiento de SiC y disco planetario recubierto con TaC
(c) Tipo de pared cuasi térmica
Nuflare (Japón): Esta empresa ofrece hornos verticales de doble cámara que contribuyen a aumentar el rendimiento de la producción. El equipo presenta una rotación de alta velocidad de hasta 1000 revoluciones por minuto, lo que resulta muy beneficioso para la uniformidad epitaxial. Además, la dirección del flujo de aire difiere de la de otros equipos, siendo vertical hacia abajo, minimizando así la generación de partículas y reduciendo la probabilidad de que gotas de partículas caigan sobre las obleas. Proporcionamos componentes centrales de grafito recubiertos de SiC para este equipo.
Como proveedor de componentes de equipos epitaxiales de SiC, VeTek Semiconductor se compromete a proporcionar a los clientes componentes de recubrimiento de alta calidad para respaldar la implementación exitosa de la epitaxia de SiC.
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Leer másEnviar ConsultaVeTek Semiconductor es un fabricante y fábrica profesional de soportes para obleas Epi en China. Epi Wafer Holder es un soporte para obleas para el proceso de epitaxia en el procesamiento de semiconductores. Es una herramienta clave para estabilizar la oblea y garantizar un crecimiento uniforme de la capa epitaxial. Se utiliza ampliamente en equipos de epitaxia como MOCVD y LPCVD. Es un dispositivo insustituible en el proceso de epitaxia. Bienvenido a su consulta adicional.
Leer másEnviar ConsultaComo fabricante e innovador profesional de productos Aixtron Satellite Wafer Carrier en China, Aixtron Satellite Wafer Carrier de VeTek Semiconductor es un portador de obleas utilizado en equipos AIXTRON, utilizado principalmente en procesos MOCVD en el procesamiento de semiconductores, y es particularmente adecuado para altas temperaturas y alta precisión. Procesos de procesamiento de semiconductores. El soporte puede proporcionar un soporte de oblea estable y una deposición uniforme de la película durante el crecimiento epitaxial de MOCVD, lo cual es esencial para el proceso de deposición de capas. Bienvenido a su consulta adicional.
Leer másEnviar ConsultaVeTek Semiconductor es un fabricante, innovador y líder profesional de productos del reactor LPE Halfmoon SiC EPI en China. El reactor LPE Halfmoon SiC EPI es un dispositivo diseñado específicamente para producir capas epitaxiales de carburo de silicio (SiC) de alta calidad, utilizadas principalmente en la industria de semiconductores. VeTek Semiconductor se compromete a proporcionar tecnología y soluciones de productos líderes para la industria de semiconductores y agradece sus consultas adicionales.
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Leer másEnviar ConsultaEl cilindro de grafito CVD SiC de Vetek Semiconductor es fundamental en los equipos semiconductores, ya que sirve como escudo protector dentro de los reactores para proteger los componentes internos en entornos de alta temperatura y presión. Protege eficazmente contra productos químicos y calor extremo, preservando la integridad del equipo. Con una resistencia excepcional al desgaste y la corrosión, garantiza longevidad y estabilidad en entornos desafiantes. El uso de estas cubiertas mejora el rendimiento de los dispositivos semiconductores, prolonga la vida útil y mitiga los requisitos de mantenimiento y los riesgos de daños. Bienvenido a consultarnos.
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