Reactor EPI de SiC de media luna LPE

Reactor EPI de SiC de media luna LPEes un dispositivo diseñado específicamente para producir alta calidadepitaxial de carburo de silicio (SiC)capas, donde el proceso epitaxial ocurre en la cámara de reacción de media luna LPE, donde el sustrato está expuesto a condiciones extremas como altas temperaturas y gases corrosivos. Para garantizar la vida útil y el rendimiento de los componentes de la cámara de reacción, se realiza la deposición química de vapor (CVD)Recubrimiento de SiCse suele utilizar. Su diseño y función le permiten proporcionar un crecimiento epitaxial estable de cristales de SiC en condiciones extremas.

Reactor EPI de SiC de media luna LPEComponentes:

Main reaction chamber: La cámara de reacción principal está hecha de materiales resistentes a altas temperaturas, como carburo de silicio (SiC) ygrafito, que tienen una resistencia a la corrosión química extremadamente alta y resistencia a altas temperaturas. La temperatura de funcionamiento suele estar entre 1400 °C y 1600 °C, lo que puede favorecer el crecimiento de cristales de carburo de silicio en condiciones de alta temperatura. La presión de funcionamiento de la cámara de reacción principal está entre 10^-3y 10^-1mbar, y la uniformidad del crecimiento epitaxial se puede controlar ajustando la presión.

Componentes de calefacción: Generalmente se utilizan calentadores de grafito o carburo de silicio (SiC), que pueden proporcionar una fuente de calor estable en condiciones de alta temperatura.

La función principal del reactor LPE Halfmoon SiC EPI es desarrollar epitaxialmente películas de carburo de silicio de alta calidad. Específicamente,se manifiesta en los siguientes aspectos:

Crecimiento de la capa epitaxial: A través del proceso de epitaxia en fase líquida, se pueden cultivar capas epitaxiales con defectos extremadamente bajos sobre sustratos de SiC, con una tasa de crecimiento de aproximadamente 1 a 10 μm/h, lo que puede garantizar una calidad de cristal extremadamente alta. Al mismo tiempo, el caudal de gas en la cámara de reacción principal suele controlarse entre 10 y 100 sccm (centímetros cúbicos estándar por minuto) para garantizar la uniformidad de la capa epitaxial.

Estabilidad a altas temperaturas: Las capas epitaxiales de SiC aún pueden mantener un rendimiento excelente en entornos de alta temperatura, alta presión y alta frecuencia.

Reducir la densidad de defectos: El diseño estructural único del reactor LPE Halfmoon SiC EPI puede reducir eficazmente la generación de defectos de cristal durante el proceso de epitaxia, mejorando así el rendimiento y la confiabilidad del dispositivo.

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DATOS SEM DE LA ESTRUCTURA CRISTALINA DE LA PELÍCULA CVD SIC:

Propiedades físicas básicas del recubrimiento CVD SiC.：

Talleres de producción del reactor EPI de SiC de media luna LPE de VeTek Semiconductor: