Anillo de entrada con revestimiento de SiC

Vetek Semiconductor se destaca por colaborar estrechamente con los clientes para crear diseños personalizados para el anillo de entrada de revestimiento de SiC adaptados a necesidades específicas. Estos anillos de entrada con revestimiento de SiC están meticulosamente diseñados para diversas aplicaciones, como equipos CVD SiC y epitaxia de carburo de silicio. Para soluciones personalizadas de anillos de entrada de recubrimiento de SiC, no dude en comunicarse con Vetek Semiconductor para obtener asistencia personalizada.

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Descripción del Producto

El fabricante chino Vetek Semiconductor ofrece un anillo de entrada con revestimiento de SiC de alta calidad. Compre un anillo de entrada con revestimiento de SiC que sea de alta calidad directamente a bajo precio.

Vetek Semiconductor se especializa en suministrar equipos de producción avanzados y competitivos diseñados para la industria de semiconductores, centrándose en componentes de grafito recubiertos de SiC como el anillo de entrada de recubrimiento de SiC para sistemas SiC-CVD de tercera generación. Estos sistemas facilitan el crecimiento de capas epitaxiales monocristalinas uniformes sobre sustratos de carburo de silicio, esenciales para la fabricación de dispositivos de potencia como diodos Schottky, IGBT, MOSFET y diversos componentes electrónicos.

El equipo SiC-CVD fusiona proceso y equipo a la perfección, ofreciendo ventajas notables en alta capacidad de producción, compatibilidad con obleas de 6/8 de pulgada, rentabilidad, control de crecimiento automático continuo en múltiples hornos, bajas tasas de defectos y mantenimiento conveniente y confiabilidad a través de la temperatura. y diseños de control de campo de flujo. Cuando se combina con nuestro anillo de entrada con revestimiento de SiC, mejora la productividad del equipo, prolonga la vida útil operativa y gestiona los costos de manera efectiva.

El anillo de entrada con revestimiento de SiC de Vetek Semiconductor se caracteriza por su alta pureza, propiedades de grafito estables, procesamiento preciso y el beneficio adicional del revestimiento de SiC CVD. La estabilidad a altas temperaturas de los recubrimientos de carburo de silicio protege los sustratos del calor y la corrosión química en ambientes extremos. Estos recubrimientos también ofrecen alta dureza y resistencia al desgaste, lo que garantiza una vida útil prolongada del sustrato, resistencia a la corrosión contra diversos productos químicos, bajos coeficientes de fricción para reducir las pérdidas y una conductividad térmica mejorada para una disipación de calor eficiente. En general, los recubrimientos de carburo de silicio CVD brindan una protección integral, lo que extiende la vida útil del sustrato y mejora el rendimiento.

Propiedades físicas básicas del recubrimiento CVD SiC:

Propiedades físicas básicas del recubrimiento CVD SiC.
Propiedad	Valor típico
Estructura cristalina	FCC fase β policristalina, principalmente orientada (111)
Densidad	3,21 g/cm³
Dureza	Dureza Vickers 2500 (carga de 500 g)
Tamaño del grano	2~10μm
Pureza química	99,99995%
Capacidad calorífica	640 J·kg-1·K-1
Temperatura de sublimación	2700 ℃
Resistencia a la flexión	415 MPa RT de 4 puntos
Módulo de Young	Curva de 430 Gpa 4 puntos, 1300 ℃
Conductividad térmica	300W·m-1·K-1
Expansión Térmica (CTE)	4,5×10-6K-1