Anillo de precalentamiento

VeTek Semiconductor es un innovador fabricante de recubrimientos de SiC en China. El anillo de precalentamiento proporcionado por VeTek Semiconductor está diseñado para el proceso de epitaxia. El recubrimiento uniforme de carburo de silicio y el material de grafito de alta gama como materias primas garantizan una deposición consistente y mejoran la calidad y uniformidad de la capa epitaxial. Esperamos establecer una cooperación a largo plazo con usted.

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Descripción del Producto

El anillo de precalentamiento es un equipo clave diseñado específicamente para el proceso epitaxial (EPI) en la fabricación de semiconductores. Se utiliza para precalentar obleas antes del proceso EPI, asegurando estabilidad de temperatura y uniformidad durante todo el crecimiento epitaxial.

Fabricado por VeTek Semiconductor, nuestro anillo de precalentamiento EPI ofrece varias características y ventajas notables. En primer lugar, está construido con materiales de alta conductividad térmica, lo que permite una transferencia de calor rápida y uniforme a la superficie de la oblea. Esto previene la formación de puntos calientes y gradientes de temperatura, asegurando una deposición consistente y mejorando la calidad y uniformidad de la capa epitaxial.

Además, nuestro anillo de precalentamiento EPI está equipado con un sistema avanzado de control de temperatura, que permite un control preciso y consistente de la temperatura de precalentamiento. Este nivel de control mejora la precisión y repetibilidad de pasos cruciales como el crecimiento de cristales, la deposición de material y las reacciones de interfaz durante el proceso EPI.

La durabilidad y la confiabilidad son aspectos esenciales del diseño de nuestros productos. El anillo de precalentamiento EPI está diseñado para soportar altas temperaturas y presiones operativas, manteniendo la estabilidad y el rendimiento durante períodos prolongados. Este enfoque de diseño reduce los costos de mantenimiento y reemplazo, lo que garantiza confiabilidad y eficiencia operativa a largo plazo.

La instalación y el funcionamiento del anillo de precalentamiento EPI son sencillos, ya que es compatible con equipos EPI comunes. Cuenta con un mecanismo de colocación y recuperación de oblea fácil de usar, lo que mejora la comodidad y la eficiencia operativa.

En VeTek Semiconductor, también ofrecemos servicios de personalización para cumplir con los requisitos específicos del cliente. Esto incluye adaptar el tamaño, la forma y el rango de temperatura del anillo de precalentamiento EPI para adaptarlo a las necesidades de producción únicas.

Para los investigadores y fabricantes involucrados en el crecimiento epitaxial y la producción de dispositivos semiconductores, el anillo de precalentamiento EPI de VeTek Semiconductor proporciona un rendimiento excepcional y un soporte confiable. Sirve como una herramienta fundamental para lograr un crecimiento epitaxial de alta calidad y facilitar procesos eficientes de fabricación de dispositivos semiconductores.

Propiedades físicas básicas del recubrimiento CVD SiC:

Propiedades físicas básicas del recubrimiento CVD SiC.
Propiedad	Valor típico
Estructura cristalina	FCC fase β policristalina, principalmente orientada (111)
Densidad	3,21 g/cm³
Dureza	Dureza Vickers 2500 (carga de 500 g)
Tamaño de grano	2~10μm
Pureza química	99,99995%
Capacidad calorífica	640 J·kg-1·K-1
Temperatura de sublimación	2700 ℃
Fuerza flexible	415 MPa RT de 4 puntos
El módulo de Young	Curva de 430 Gpa 4 puntos, 1300 ℃
Conductividad térmica	300W·m-1·K-1
Expansión Térmica (CTE)	4,5×10-6K-1