Susceptores MOCVD Aixtron G5

VeTek Semiconductor es un fabricante e innovador líder de susceptores MOCVD Aixtron G5 en China. Nos hemos especializado en material de recubrimiento de SiC durante muchos años. Ofrecemos susceptores MOCVD Aixtron G5 diseñados específicamente para el reactor MOCVD Aixtron G5. Este kit de susceptores MOCVD Aixtron G5 es una solución versátil y eficiente para la fabricación de semiconductores con su tamaño óptimo, compatibilidad y alta productividad. Bienvenido a consultarnos.

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Descripción del Producto

Como fabricante profesional, VeTek Semiconductor desea ofrecerle susceptores MOCVD Aixtron G5 como Epitaxia Axtron, el receptorRecubierto de SiCpiezas de grafito,Recubierto de TaCpiezas de grafito, SiC sólido/CVD SiC,Piezas de cuarzo.Bienvenido a consultarnos.

Aixtron G5 es un sistema de deposición para semiconductores compuestos. AIX G5 MOCVD utiliza una plataforma de reactor planetario AIXTRON probada por el cliente en producción con un sistema de transferencia de obleas de cartucho (C2C) totalmente automatizado. Se logró el tamaño de cavidad única más grande de la industria (8 x 6 pulgadas) y la mayor capacidad de producción. Ofrece configuraciones flexibles de 6 y 4 pulgadas diseñadas para minimizar los costos de producción y al mismo tiempo mantener una excelente calidad del producto. El sistema CVD planetario de pared cálida se caracteriza por el crecimiento de múltiples placas en un solo horno y la eficiencia de salida es alta.

VeTek Semiconductor ofrece un conjunto completo de accesorios para el sistema susceptor MOCVD Aixtron G5 y Aixtron G5+sistema, Los susceptores Aixtron G5 MOCVD se componen de estos accesorios:

Pieza de empuje, antigiro	Anillo de distribución	Techo	Soporte, Techo, Aislado	Placa de cubierta, exterior
Placa de cubierta, interior	Anillo de cubierta	Desct	Descto de cubierta desplegable	Alfiler
Arandela de pasador	Descto planetario	Separación del anillo de entrada del colector	Colector de escape superior	Obturador
Anillo de soporte	Tubo de soporte

Aixtron G5 MOCVD Susceptor

Estructura cristalina de película CVD SiC:

CVD SIC FILM CRASTAL STRUCTURE

Propiedades físicas básicas del recubrimiento CVD SiC:

Propiedades físicas básicas del recubrimiento CVD SiC.
Propiedad	Valor típico
Estructura cristalina	FCC fase β policristalina, principalmente orientada (111)
Densidad	3,21 g/cm³
Dureza	Dureza Vickers 2500 (carga de 500 g)
Tamaño del grano	2~10μm
Pureza química	99,99995%
Capacidad calorífica	640 J·kg^-1·k^-1
Temperatura de sublimación	2700℃
Resistencia a la flexión	415 MPa RT de 4 puntos
Módulo de Young	Curva de 430 Gpa 4 puntos, 1300 ℃
Conductividad térmica	300W·m^-1·k^-1
Expansión Térmica (CTE)	4,5×10^-6·k^-1