Susceptor de grafito epitaxial GaN para G5

VeTek Semiconductor es un fabricante y proveedor profesional dedicado a proporcionar susceptor de grafito epitaxial GaN de alta calidad para G5. Hemos establecido asociaciones estables y a largo plazo con numerosas empresas reconocidas en el país y en el extranjero, ganándonos la confianza y el respeto de nuestros clientes.

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Descripción del Producto

VeTek Semiconductor es un fabricante y proveedor profesional de susceptor de grafito epitaxial GaN para G5 en China. El susceptor de grafito epitaxial GaN para G5 es un componente crítico utilizado en el sistema de deposición química de vapor organometálico (MOCVD) de Aixtron G5 para el crecimiento de películas delgadas de nitruro de galio (GaN) de alta calidad. Desempeña un papel crucial para garantizar una temperatura uniforme. distribución, transferencia eficiente de calor y mínima contaminación durante el proceso de crecimiento.

Características clave del susceptor de grafito epitaxial GaN VeTek Semiconductor para G5:

-Alta pureza: el susceptor está hecho de grafito de alta pureza con recubrimiento CVD, lo que minimiza la contaminación de las películas de GaN en crecimiento.

-Excelente conductividad térmica: la alta conductividad térmica del grafito (150-300 W/(m·K)) garantiza una distribución uniforme de la temperatura en todo el susceptor, lo que conduce a un crecimiento constante de la película de GaN.

-Baja expansión térmica: el bajo coeficiente de expansión térmica del susceptor minimiza el estrés térmico y el agrietamiento durante el proceso de crecimiento a alta temperatura.

-Inercia química: el grafito es químicamente inerte y no reacciona con los precursores de GaN, evitando impurezas no deseadas en las películas cultivadas.

-Compatibilidad con Aixtron G5: El susceptor está diseñado específicamente para su uso en el sistema MOCVD Aixtron G5, asegurando un ajuste y funcionalidad adecuados.

Aplicaciones:

LED de alto brillo: los LED basados en GaN ofrecen alta eficiencia y larga vida útil, lo que los hace ideales para iluminación general, iluminación automotriz y aplicaciones de visualización.

Transistores de alta potencia: los transistores GaN ofrecen un rendimiento superior en términos de densidad de potencia, eficiencia y velocidad de conmutación, lo que los hace adecuados para aplicaciones de electrónica de potencia.

Diodos láser: los diodos láser basados en GaN ofrecen alta eficiencia y longitudes de onda cortas, lo que los hace ideales para aplicaciones de comunicación y almacenamiento óptico.

Parámetro del producto del susceptor de grafito epitaxial GaN para G5

Propiedades físicas del grafito isostático.
Propiedad	Unidad	Valor típico
Densidad a Granel	g/cm³	1.83
Dureza	HSD	58
Resistividad electrica	mΩ.m	10
Fuerza flexible	MPa	47
Fuerza compresiva	MPa	103
Resistencia a la tracción	MPa	31
El módulo de Young	GPa	11.8
Expansión Térmica (CTE)	10-6K-1	4.6
Conductividad térmica	W·m-1·K-1	130
Tamaño promedio de grano	µm	8-10
Porosidad	%	10
Contenido de cenizas	ppm	≤10 (después de purificado)

Nota: Antes del recubrimiento, haremos la primera purificación; después del recubrimiento, haremos la segunda purificación.

Propiedades físicas básicas del recubrimiento CVD SiC.
Propiedad	Valor típico
Estructura cristalina	FCC fase β policristalina, principalmente orientada (111)
Densidad	3,21 g/cm³
Dureza	Dureza Vickers 2500 (carga de 500 g)
Tamaño de grano	2~10μm
Pureza química	99,99995%
Capacidad calorífica	640 J·kg-1·K-1
Temperatura de sublimación	2700 ℃
Fuerza flexible	415 MPa RT de 4 puntos
El módulo de Young	Curva de 430 Gpa 4 puntos, 1300 ℃
Conductividad térmica	300W·m-1·K-1
Expansión Térmica (CTE)	4,5×10-6K-1

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