Pieza de media luna de 8 pulgadas para reactor LPE

VeTek Semiconductor es un fabricante e innovador líder de piezas de media luna de 8 pulgadas para reactores LPE en China. Nos hemos especializado en material de recubrimiento de SiC durante muchos años. Ofrecemos una pieza de media luna de 8 pulgadas para reactores LPE diseñada específicamente para reactores de epitaxia LPE SiC. Esta media luna forma parte de una solución versátil y eficiente para la fabricación de semiconductores con su tamaño óptimo, compatibilidad y alta productividad. Le invitamos a visitar nuestra fábrica en China.

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Descripción del Producto

Como fabricante profesional, VeTek Semiconductor desea ofrecerle una pieza de media luna de 8 pulgadas de alta calidad para el reactor LPE.

La pieza de media luna de 8 pulgadas de VeTek Semiconductor para reactor LPE es un componente esencial utilizado en los procesos de fabricación de semiconductores, particularmente en equipos epitaxiales de SiC. VeTek Semiconductor emplea una tecnología patentada para producir una pieza de media luna de 8 pulgadas para el reactor LPE, lo que garantiza que posean una pureza excepcional, un recubrimiento uniforme y una longevidad excepcional. Además, estas piezas exhiben notables propiedades de resistencia química y estabilidad térmica.

El cuerpo principal de la pieza en forma de media luna de 8 pulgadas para el reactor LPE está hecho de grafito de alta pureza, que proporciona una excelente conductividad térmica y estabilidad mecánica. Se elige grafito de alta pureza por su bajo contenido de impurezas, lo que garantiza una contaminación mínima durante el proceso de crecimiento epitaxial. Su robustez le permite soportar las exigentes condiciones dentro del reactor LPE.

Las piezas de media luna de grafito recubiertas de SiC de VeTek Semiconductor se fabrican con la máxima precisión y atención al detalle. La alta pureza de los materiales utilizados garantiza un rendimiento y una fiabilidad superiores en la fabricación de semiconductores. El recubrimiento uniforme de estas piezas garantiza un funcionamiento constante y eficiente durante toda su vida útil.

Una de las principales ventajas de nuestras piezas de media luna de grafito recubiertas de SiC es su excelente resistencia química. Pueden resistir la naturaleza corrosiva del entorno de fabricación de semiconductores, lo que garantiza una durabilidad duradera y minimiza la necesidad de reemplazos frecuentes. Además, su excepcional estabilidad térmica les permite mantener su integridad estructural y funcionalidad en condiciones de alta temperatura.

Nuestras piezas de media luna de grafito recubiertas de SiC se han diseñado meticulosamente para cumplir con los estrictos requisitos de los equipos epitaxiales de SiC. Con su rendimiento confiable, estas piezas contribuyen al éxito de los procesos de crecimiento epitaxial, permitiendo la deposición de películas de SiC de alta calidad.

Propiedades físicas básicas del recubrimiento CVD SiC:

Propiedades físicas básicas del recubrimiento CVD SiC.
Propiedad	Valor típico
Estructura cristalina	FCC fase β policristalina, principalmente orientada (111)
Densidad	3,21 g/cm³
Dureza	Dureza Vickers 2500 (carga de 500 g)
Tamaño de grano	2~10μm
Pureza química	99,99995%
Capacidad calorífica	640 J·kg-1·K-1
Temperatura de sublimación	2700 ℃
Fuerza flexible	415 MPa RT de 4 puntos
El módulo de Young	Curva de 430 Gpa 4 puntos, 1300 ℃
Conductividad térmica	300W·m-1·K-1
Expansión Térmica (CTE)	4,5×10-6K-1

Taller de producción de semiconductores VeTek

Descripción general de la cadena de la industria de la epitaxia de chips semiconductores:

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