China Piezas de repuesto para el proceso de crecimiento de cristal único de SiC Fabricante, proveedor, fábrica

El producto de VeTek Semiconductor, los productos de recubrimiento de carburo de tantalio (TaC) para el proceso de crecimiento de cristal único de SiC, aborda los desafíos asociados con la interfaz de crecimiento de los cristales de carburo de silicio (SiC), en particular los defectos integrales que ocurren en el borde del cristal. Al aplicar el recubrimiento de TaC, nuestro objetivo es mejorar la calidad del crecimiento de los cristales y aumentar el área efectiva del centro del cristal, lo cual es crucial para lograr un crecimiento rápido y espeso.

El recubrimiento TaC es una solución tecnológica central para el proceso de crecimiento de monocristales de SiC de alta calidad. Hemos desarrollado con éxito una tecnología de recubrimiento de TaC mediante deposición química de vapor (CVD), que ha alcanzado un nivel avanzado a nivel internacional. El TaC tiene propiedades excepcionales, incluido un alto punto de fusión de hasta 3880 °C, excelente resistencia mecánica, dureza y resistencia al choque térmico. También presenta una buena inercia química y estabilidad térmica cuando se expone a altas temperaturas y sustancias como amoníaco, hidrógeno y vapor que contiene silicio.

El recubrimiento de carburo de tantalio (TaC) de VeTek Semiconductor ofrece una solución para abordar los problemas relacionados con los bordes en el proceso de crecimiento de cristal único de SiC, mejorando la calidad y la eficiencia del proceso de crecimiento. Con nuestra avanzada tecnología de recubrimiento TaC, nuestro objetivo es apoyar el desarrollo de la industria de semiconductores de tercera generación y reducir la dependencia de materiales clave importados.

Método PVT SiC Piezas de repuesto para el proceso de crecimiento de monocristales:

El crisol recubierto de TaC, el soporte de semillas con recubrimiento de TaC y el anillo guía con recubrimiento de TaC son piezas importantes en los hornos monocristalinos de SiC y AIN mediante el método PVT.

Función clave:

-Resistencia a altas temperaturas

-Alta pureza, no contaminará las materias primas de SiC ni los monocristales de SiC.

-Resistente al vapor de Al y a la corrosión por N₂

-Alta temperatura eutéctica (con AlN) para acortar el ciclo de preparación de cristales.

-Reciclable (hasta 200h), mejora la sostenibilidad y eficiencia de la preparación de dichos monocristales.

Características del recubrimiento TaC

Propiedades físicas típicas del revestimiento Tac

Anillo de desviación recubierto de carburo de tantalio Anillo guía de recubrimiento TaC Anillo de recubrimiento TaC Placa recubierta de carburo de tantalio Trozo recubierto de TaC Tubo de revestimiento de TaC