Portaobleas Aixtron Satellite

Aixtron Satellite Wafer Carrier es una parte integral del equipo AIXTRON MOCVD, especialmente utilizado para transportar obleas para crecimiento epitaxial. Es particularmente adecuado para elcrecimiento epitaxialProceso de dispositivos de GaN y carburo de silicio (SiC). Su exclusivo diseño "satélite" no sólo garantiza la uniformidad del flujo de gas, sino que también mejora la uniformidad de la deposición de la película en la superficie de la oblea.

Aixtronportadores de obleasgeneralmente están hechos decarburo de silicio (SiC)o grafito recubierto de CVD. Entre ellos, el carburo de silicio (SiC) tiene una excelente conductividad térmica, resistencia a altas temperaturas y un bajo coeficiente de expansión térmica. El grafito recubierto de CVD es grafito recubierto con una película de carburo de silicio mediante un proceso de deposición química de vapor (CVD), que puede mejorar su resistencia a la corrosión y su resistencia mecánica. Los materiales de SiC y grafito recubierto pueden soportar temperaturas de hasta 1400 °C a 1600 °C y tienen una excelente estabilidad térmica a altas temperaturas, lo cual es fundamental para el proceso de crecimiento epitaxial.

Aixtron Satellite Wafer Carrier se utiliza principalmente para transportar y rotar obleas en elproceso MOCVDpara garantizar un flujo de gas uniforme y una deposición uniforme durante el crecimiento epitaxial.Las funciones específicas son las siguientes:

Rotación de oblea y deposición uniforme.: A través de la rotación del Aixtron Satellite Carrier, la oblea puede mantener un movimiento estable durante el crecimiento epitaxial, permitiendo que el gas fluya uniformemente sobre la superficie de la oblea para garantizar la deposición uniforme de materiales.

Rodamiento y estabilidad a alta temperatura.: Los materiales de carburo de silicio o grafito recubiertos pueden soportar temperaturas de hasta 1400 °C-1600 °C. Esta característica garantiza que la oblea no se deformará durante el crecimiento epitaxial a alta temperatura, al tiempo que evita que la expansión térmica del propio soporte afecte el proceso epitaxial.

Generación reducida de partículas.: Los materiales portadores de alta calidad (como el SiC) tienen superficies lisas que reducen la generación de partículas durante la deposición de vapor, minimizando así la posibilidad de contaminación, lo cual es fundamental para producir materiales semiconductores de alta pureza y calidad.

El portador de obleas satélite Aixtron de VeTek Semiconductor está disponible en tamaños de obleas de 100 mm, 150 mm, 200 mm e incluso mayores, y puede proporcionar servicios de productos personalizados según sus requisitos de equipo y proceso. Esperamos sinceramente ser su socio a largo plazo en China.

DATOS SEM DE LA ESTRUCTURA CRISTALINA DE LA PELÍCULA CVD SIC：

Portador de obleas Aixtron Satellite Talleres de producción:

Descripción general de la cadena de la industria de la epitaxia de chips semiconductores: