Soporte para oblea Epi

El principio de funcionamiento de Epi Wafer Holder es sostener la oblea durante el proceso de epitaxia para garantizar que laobleaestá en un ambiente preciso de temperatura y flujo de gas para que el material epitaxial pueda depositarse uniformemente en la superficie de la oblea. En condiciones de alta temperatura, este producto puede fijar firmemente la oblea en la cámara de reacción y al mismo tiempo evitar problemas como rayones y contaminación por partículas en la superficie de la oblea.

El soporte para obleas Epi generalmente está hecho decarburo de silicio (SiC). El SiC tiene un bajo coeficiente de expansión térmica de aproximadamente 4,0 x 10 ^^-6/°C, lo que ayuda a mantener la estabilidad dimensional del soporte a altas temperaturas y evitar la tensión de la oblea causada por la expansión térmica. Combinado con su excelente estabilidad a altas temperaturas (capaz de soportar altas temperaturas de 1200°C~1600°C), resistencia a la corrosión y conductividad térmica (la conductividad térmica suele ser de 120-160 W/mK), el SiC es un material ideal para soportes de obleas epitaxiales. .

Epi Wafer Holder juega un papel vital en el proceso epitaxial. Su función principal es proporcionar un portador estable en un ambiente de gas corrosivo y de alta temperatura para garantizar que la oblea no se vea afectada durante el proceso.proceso de crecimiento epitaxial, asegurando al mismo tiempo el crecimiento uniforme de la capa epitaxial.Específicamente como sigue:

Fijación de oblea y alineación precisa: El soporte de oblea Epi diseñado de alta precisión fija firmemente la oblea en el centro geométrico de la cámara de reacción para garantizar que la superficie de la oblea forme el mejor ángulo de contacto con el flujo de gas de reacción. Esta alineación precisa no sólo garantiza la uniformidad de la deposición de la capa epitaxial, sino que también reduce eficazmente la concentración de tensión causada por la desviación de la posición de la oblea.

Calefacción uniforme y control del campo térmico.: La excelente conductividad térmica del material de carburo de silicio (SiC) (la conductividad térmica suele ser de 120-160 W/mK) proporciona una transferencia de calor eficiente para obleas en entornos epitaxiales de alta temperatura. Al mismo tiempo, la distribución de temperatura del sistema de calentamiento se controla con precisión para garantizar una temperatura uniforme en toda la superficie de la oblea. Esto evita eficazmente el estrés térmico causado por gradientes de temperatura excesivos, lo que reduce significativamente la probabilidad de defectos como deformaciones y grietas de las obleas.

Control de contaminación de partículas y pureza del material.: El uso de sustratos de SiC de alta pureza y materiales de grafito recubiertos de CVD reduce en gran medida la generación y difusión de partículas durante el proceso de epitaxia. Estos materiales de alta pureza no sólo proporcionan un ambiente limpio para el crecimiento de la capa epitaxial, sino que también ayudan a reducir los defectos de la interfaz, mejorando así la calidad y confiabilidad de la capa epitaxial.

Resistencia a la corrosión: El soporte debe poder resistir los gases corrosivos (como amoníaco, trimetil galio, etc.) utilizados enMOCVDo procesos LPCVD, por lo que la excelente resistencia a la corrosión de los materiales de SiC ayuda a extender la vida útil del soporte y garantizar la confiabilidad del proceso de producción.

VeTek Semiconductor admite servicios de productos personalizados, por lo que Epi Wafer Holder puede brindarle servicios de productos personalizados según el tamaño de la oblea (100 mm, 150 mm, 200 mm, 300 mm, etc.). Esperamos sinceramente ser su socio a largo plazo en China.

DATOS SEM DE LA ESTRUCTURA CRISTALINA DE LA PELÍCULA CVD SIC:

Propiedades físicas básicas del recubrimiento CVD SiC.：

VeTek Semiconductor Epi soporte para obleas Talleres de producción: