Portador de oblea de epitaxia de carburo de silicio

VeTek Semiconductor es un proveedor líder de obleas de epitaxia de carburo de silicio personalizado en China. Nos hemos especializado en materiales avanzados durante más de 20 años. Ofrecemos un portador de obleas de epitaxia de carburo de silicio para transportar sustrato de SiC y hacer crecer la capa de epitaxia de SiC en un reactor epitaxial de SiC. Este portador de oblea de epitaxia de carburo de silicio es una parte importante recubierta de SiC de la parte de media luna, resistencia a altas temperaturas, resistencia a la oxidación y resistencia al desgaste. Le invitamos a visitar nuestra fábrica en China.

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Descripción del Producto

Como fabricante profesional, nos gustaría ofrecerle un portador de oblea de epitaxia de carburo de silicio de alta calidad.

Los portadores de obleas de epitaxia de carburo de silicio VeTek Semiconductor están diseñados específicamente para la cámara epitaxial de SiC. Tienen una amplia gama de aplicaciones y son compatibles con varios modelos de equipos.

Escenario de aplicación:

Los portadores de obleas epitaxiales de carburo de silicio VeTek Semiconductor se utilizan principalmente en el proceso de crecimiento de capas epitaxiales de SiC. Estos accesorios se colocan dentro del reactor de epitaxia de SiC, donde entran en contacto directo con los sustratos de SiC. Los parámetros críticos para las capas epitaxiales son el espesor y la uniformidad de la concentración de dopaje. Por lo tanto, evaluamos el rendimiento y la compatibilidad de nuestros accesorios observando datos como el espesor de la película, la concentración del portador, la uniformidad y la rugosidad de la superficie.

Uso:

Dependiendo del equipo y el proceso, nuestros productos pueden alcanzar al menos 5000 um de espesor de capa epitaxial en una configuración de media luna de 6 pulgadas. Este valor sirve como referencia y los resultados reales pueden variar.

Modelos de equipos compatibles:

Las piezas de grafito recubiertas de carburo de silicio de VeTek Semiconductor son compatibles con varios modelos de equipos, incluidos LPE, NAURA, JSG, CETC, NASO TECH y otros.

Propiedades físicas básicas del recubrimiento CVD SiC:

Propiedades físicas básicas del recubrimiento CVD SiC.
Propiedad	Valor típico
Estructura cristalina	FCC fase β policristalina, principalmente orientada (111)
Densidad	3,21 g/cm³
Dureza	Dureza Vickers 2500 (carga de 500 g)
Tamaño de grano	2~10μm
Pureza química	99,99995%
Capacidad calorífica	640 J·kg-1·K-1
Temperatura de sublimación	2700 ℃
Fuerza flexible	415 MPa RT de 4 puntos
El módulo de Young	Curva de 430 Gpa 4 puntos, 1300 ℃
Conductividad térmica	300W·m-1·K-1
Expansión Térmica (CTE)	4,5×10-6K-1

Taller de producción de semiconductores VeTek

Descripción general de la cadena de la industria de la epitaxia de chips semiconductores:

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