Anillo recubierto de TaC para reactor epitaxial de SiC

VeTek Semiconductor es un fabricante e innovador de anillos recubiertos de TaC a gran escala para reactores epitaxiales de SiC en China. Nos hemos especializado en recubrimientos de TaC durante muchos años. Nuestros productos tienen alta pureza, alta estabilidad, excelente resistencia a la corrosión y alta resistencia de unión. Esperamos convertirnos en su socio a largo plazo en China.

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Descripción del Producto

Introducción del producto del anillo recubierto de TaC para reactor epitaxial de SiC

VeTek Semiconductor es una empresa reconocida con sede en China, conocida por su experiencia en la fabricación de recubrimientos de TaC y SiC de alta calidad, así como anillos recubiertos de TaC de alta pureza para reactores epitaxiales de SiC. Estamos orgullosos de ofrecer productos superiores a precios competitivos. Le invitamos cordialmente a comunicarse con nosotros y descubrir las soluciones excepcionales que ofrecemos.

Nuestros anillos recubiertos de TaC para reactores epitaxiales de SiC desempeñan un papel crucial. Estos anillos son una parte integral de nuestro conjunto de media luna y ofrecen funciones esenciales como soporte del sustrato, control preciso de la temperatura, aislamiento térmico eficaz, ventilación eficiente y protección confiable. Al trabajar armoniosamente, estos anillos garantizan un control meticuloso sobre el espesor, el dopaje y las características de defecto de la capa epitaxial de SiC que crece dentro de la cámara de reacción.

Además de nuestros excepcionales anillos recubiertos de TaC, VeTek Semiconductor ofrece una amplia gama de productos relacionados diseñados específicamente para cámaras de reacción. Nuestra línea de productos incluye medias lunas superior e inferior, cubiertas protectoras, cubiertas aislantes e interfaces de desviación de aire de proceso. Cada uno de estos componentes se somete a un meticuloso recubrimiento de SiC o TaC para mejorar el rendimiento y extender su vida útil.

Parámetro del producto del anillo recubierto de TaC para reactor epitaxial de SiC

Propiedades físicas del recubrimiento TaC.
Densidad	14,3 (g/cm³)
Emisividad específica	0.3
Coeficiente de expansión térmica	6,3 10-6/K
Dureza (HK)	2000 Hong Kong
Resistencia	1×10-5 ohmios*cm
Estabilidad térmica	<2500℃
Cambios de tamaño de grafito	-10~-20um
Espesor del revestimiento	Valor típico ≥20um (35um±10um)

Taller de producción de semiconductores VeTek

Descripción general de la cadena de la industria de la epitaxia de chips semiconductores:

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