Anillo guía de carburo de tantalio
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Anillo guía de carburo de tantalio

VeTek Semiconductor es un fabricante profesional y líder de productos de anillos guía de carburo de tantalio en China. Nuestro anillo guía de carburo de tantalio (TaC) es un componente de anillo de alto rendimiento hecho de carburo de tantalio, que se usa comúnmente en equipos de procesamiento de semiconductores, especialmente en ambientes de alta temperatura y altamente corrosivos como CVD, PVD, grabado y difusión. VeTek Semiconductor se compromete a proporcionar tecnología avanzada y soluciones de productos para la industria de semiconductores y agradece sus consultas adicionales.

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Descripción del Producto

Semiconductores VeTekGuía de carburo de tantalio Ringestá elaborado a partir degrafitoyrecubierto con carburo de tantalio, una combinación que aprovecha las mejores propiedades de ambos materiales para garantizar un rendimiento y una longevidad superiores.


ElRecubrimiento de TaCen el anillo guía de carburo de tantalio garantiza que permanezca químicamente inerte en las atmósferas reactivas de los hornos de crecimiento de cristales de SiC, que a menudo involucran gases como hidrógeno, argón y nitrógeno. Esta inercia química es vital para evitar cualquier contaminación del cristal en crecimiento, lo que podría provocar defectos y reducir el rendimiento de los productos semiconductores finales. Además, la estabilidad térmica proporcionada por el recubrimiento de TaC permite que el anillo guía con recubrimiento de carburo de tantalio funcione eficazmente a las altas temperaturas requeridas paraCrecimiento de cristales de SiC, normalmente superando los 2000°C.


Además, la combinación de grafito y TaC en el anillo de recubrimiento de carburo de tantalio optimiza la gestión térmica dentro del horno de crecimiento de cristales. La alta conductividad térmica del grafito distribuye eficientemente el calor, evitando puntos calientes y promoviendo un crecimiento uniforme de los cristales. Mientras tanto, el recubrimiento de carburo de tantalio sirve como barrera térmica, protegiendo el núcleo de grafito de la exposición directa a altas temperaturas y gases reactivos. Esta sinergia entre el núcleo y los materiales de recubrimiento da como resultado un anillo guía que no solo resiste las duras condiciones del crecimiento de cristales de SiC sino que también mejora la eficiencia y la calidad generales del proceso.


Las propiedades mecánicas del carburo de tantalio semiconductor VeTek reducen en gran medida el desgaste del anillo de revestimiento de carburo de tantalio. Esto es crucial debido a la naturaleza repetitiva de laproceso de crecimiento de cristales, lo que expone el anillo guía a frecuentes ciclos térmicos y tensiones mecánicas. La dureza y la resistencia al desgaste del carburo de tantalio garantizan que el anillo guía mantenga su integridad estructural y dimensiones precisas durante largos períodos, minimizando la necesidad de reemplazos frecuentes y reduciendo el tiempo de inactividad en el proceso de fabricación.


El anillo guía de recubrimiento de carburo de tantalio semiconductor VeTek es un componente esencial en la industria de semiconductores, diseñado específicamente para el crecimiento deCristales de carburo de silicio. Su diseño aprovecha las fortalezas del grafito y el carburo de tantalio para ofrecer un rendimiento excepcional en entornos de alta temperatura y estrés. El recubrimiento de TaC garantiza inercia química, durabilidad mecánica y estabilidad térmica, todo lo cual es fundamental para producir cristales de SiC de alta calidad. Al mantener su integridad y funcionalidad en condiciones extremas, el anillo guía favorece el crecimiento eficiente y sin defectos de los cristales de SiC, lo que contribuye al avance de los dispositivos semiconductores de alta potencia y alta frecuencia.


Recubrimiento de carburo de tantalio (TaC) en una sección transversal microscópica:


Tantalum carbide (TaC) coating on a microscopic cross-section 1Tantalum carbide (TaC) coating on a microscopic cross-section 2Tantalum carbide (TaC) coating on a microscopic cross-section 3Tantalum carbide (TaC) coating on a microscopic cross-section 4


Propiedades físicas del recubrimiento TaC.:


Propiedades físicas del recubrimiento TaC.
Densidad
14,3 (g/cm³)
Emisividad específica
0.3
Coeficiente de expansión térmica
6,3*10-6/K
Dureza (HK)
2000 Hong Kong
Resistencia
1×10-5Ohmios*cm
Estabilidad térmica
<2500℃
Cambios de tamaño de grafito
-10~-20um
Espesor del revestimiento
Valor típico ≥20um (35um±10um)

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