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Susceptor de rotación de recubrimiento TaC
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Susceptor de rotación de recubrimiento TaC

Como fabricante profesional, innovador y líder de productos de susceptor de rotación de recubrimiento TaC en China. El susceptor de rotación de recubrimiento TaC de VeTek Semiconductor generalmente se instala en equipos de deposición química de vapor (CVD) y epitaxia de haz molecular (MBE) para soportar y rotar obleas para garantizar una deposición uniforme del material y una reacción eficiente. Es un componente clave en el procesamiento de semiconductores. Bienvenido a su consulta adicional.

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Descripción del Producto

El susceptor de rotación de recubrimiento TaC de VeTek Semiconductor es un componente clave para el manejo de obleas en el procesamiento de semiconductores. EsTaC Co.nuestrotiene una excelente tolerancia a altas temperaturas (punto de fusión de hasta 3880 °C), estabilidad química y resistencia a la corrosión, lo que garantiza una alta precisión y alta calidad en el procesamiento de obleas.


El susceptor de rotación de recubrimiento de TaC (susceptor de rotación de recubrimiento de carbono de tantalio) es un componente clave del equipo utilizado en el procesamiento de semiconductores. Generalmente se instala endeposición química de vapor (CVD)y equipo de epitaxia de haz molecular (MBE) para soportar y rotar obleas para garantizar la deposición uniforme del material y una reacción eficiente. Este tipo de producto mejora significativamente la vida útil y el rendimiento del equipo en ambientes corrosivos y de alta temperatura al recubrir el sustrato conRecubrimiento de carbono tantalio (TaC).


El susceptor de rotación del revestimiento TaC suele estar compuesto de revestimiento TaC y grafito o carburo de silicio como material de sustrato. TaC es un material cerámico de temperatura ultraalta con un punto de fusión extremadamente alto (punto de fusión de hasta 3880 °C), dureza (la dureza Vickers es de aproximadamente 2000 HK) y excelente resistencia a la corrosión química. VeTek Semiconductor puede cubrir de manera efectiva y uniforme el recubrimiento de carbono de tantalio en el material del sustrato mediante la tecnología CVD.

El susceptor de rotación generalmente está hecho de materiales de alta conductividad térmica y alta resistencia (grafito ocarburo de silicio), que puede proporcionar un buen soporte mecánico y estabilidad térmica en ambientes de alta temperatura. La combinación perfecta de los dos determina el rendimiento perfecto del susceptor de rotación de recubrimiento TaC para soportar y girar obleas.


El susceptor de rotación de recubrimiento TaC soporta y gira la oblea en el proceso CVD. La dureza Vickers del TaC es de aproximadamente 2000 HK, lo que le permite resistir la fricción repetida del material y desempeñar un buen papel de soporte, asegurando así que el gas de reacción se distribuya uniformemente en la superficie de la oblea y el material se deposite uniformemente. Al mismo tiempo, la tolerancia a altas temperaturas y la resistencia a la corrosión del revestimiento TaC permiten su uso durante mucho tiempo en atmósferas corrosivas y de alta temperatura, lo que evita eficazmente la contaminación de la oblea y el soporte.


Además, la conductividad térmica del TaC es de 21 W/m·K, lo que tiene una buena transferencia de calor. Por lo tanto, el susceptor de rotación de recubrimiento TaC puede calentar la oblea de manera uniforme en condiciones de alta temperatura y garantizar la uniformidad del proceso de deposición de gas a través del movimiento de rotación, manteniendo así la consistencia y la alta calidad decrecimiento de oblea.


Recubrimiento de carburo de tantalio (TaC) en una sección transversal microscópica

Tantalum carbide (TaC) coating on a microscopic cross-section 1Tantalum carbide (TaC) coating on a microscopic cross-section 2Tantalum carbide (TaC) coating on a microscopic cross-section 3Tantalum carbide (TaC) coating on a microscopic cross-section 4


Propiedades físicas del recubrimiento TaC.


Propiedades físicas del recubrimiento TaC.
Densidad
14,3 (g/cm³)
Emisividad específica
0.3
Coeficiente de expansión térmica
6,3*10-6/K
Dureza (HK)
2000 Hong Kong
Resistencia
1×10-5Ohmios*cm
Estabilidad térmica
<2500℃
Cambios de tamaño de grafito
-10~-20um
Espesor del revestimiento
Valor típico ≥20um (35um±10um)



Talleres de susceptores de rotación de recubrimiento TaC:


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