- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
China Proceso de epitaxia de SiC Fabricante, proveedor, fábrica
Los exclusivos recubrimientos de carburo de VeTek Semiconductor brindan una protección superior para las piezas de grafito en el proceso de epitaxia de SiC para el procesamiento de materiales semiconductores y semiconductores compuestos exigentes. El resultado es una vida útil prolongada de los componentes de grafito, la preservación de la estequiometría de la reacción, la inhibición de la migración de impurezas a aplicaciones de epitaxia y crecimiento de cristales, lo que resulta en un mayor rendimiento y calidad.
Nuestros recubrimientos de carburo de tantalio (TaC) protegen los componentes críticos de hornos y reactores a altas temperaturas (hasta 2200 °C) del amoníaco caliente, el hidrógeno, los vapores de silicio y los metales fundidos. VeTek Semiconductor tiene una amplia gama de capacidades de medición y procesamiento de grafito para satisfacer sus requisitos personalizados, por lo que podemos ofrecer un recubrimiento de pago o un servicio completo, con nuestro equipo de ingenieros expertos listos para diseñar la solución adecuada para usted y su aplicación específica. .
Cristales semiconductores compuestos
VeTek Semiconductor puede proporcionar recubrimientos TaC especiales para diversos componentes y soportes. A través del proceso de recubrimiento líder en la industria de VeTek Semiconductor, el recubrimiento TaC puede obtener alta pureza, estabilidad a altas temperaturas y alta resistencia química, mejorando así la calidad del producto de las capas cristalinas de TaC/GaN) y EPl, y extendiendo la vida útil de los componentes críticos del reactor.
Aisladores térmicos
Componentes de crecimiento de cristales de SiC, GaN y AlN, incluidos crisoles, portasemillas, deflectores y filtros. Conjuntos industriales que incluyen elementos calefactores resistivos, boquillas, anillos de protección y accesorios de soldadura fuerte, componentes del reactor CVD epitaxial de GaN y SiC, incluidos portadores de obleas, bandejas satélite, cabezales de ducha, tapas y pedestales, componentes MOCVD.
Objetivo:
Portador de oblea LED (diodo emisor de luz)
Receptor ALD (semiconductor)
Receptor EPI (proceso de epitaxia de SiC)
Susceptor satélite recubierto de TaC 
Susceptor y anillo de revestimiento TaC 
Piezas de revestimiento TaC 
Piezas de media luna con revestimiento TaC
Comparación del recubrimiento de SiC y el recubrimiento de TaC:
| Sic | TaC | |
| Principales características | Pureza ultraalta, excelente resistencia al plasma | Excelente estabilidad a altas temperaturas (conformidad con el proceso a altas temperaturas) |
| Pureza | >99,9999% | >99,9999% |
| Densidad (g/cm 3) | 3.21 | 15 |
| Dureza (kg/mm 2) | 2900-3300 | 6.7-7.2 |
| Resistividad [Ωcm] | 0,1-15.000 | <1 |
| Conductividad térmica (W/m-K) | 200-360 | 22 |
| Coeficiente de expansión térmica (10-6/℃) | 4.5-5 | 6.3 |
| Solicitud | Plantilla de cerámica para equipos semiconductores (anillo de enfoque, cabezal de ducha, oblea simulada) | Piezas de equipos de crecimiento monocristalino de SiC, Epi, LED UV |
- View as
GaN en aceptor epi de SiC
VeTek Semiconductor es un fabricante profesional de susceptor epi GaN sobre SiC, recubrimiento CVD de SiC y susceptor de grafito CVD TAC COATING en China. Entre ellos, el susceptor epi de GaN sobre SiC desempeña un papel vital en el procesamiento de semiconductores. Gracias a su excelente conductividad térmica, capacidad de procesamiento a alta temperatura y estabilidad química, garantiza la alta eficiencia y calidad del material del proceso de crecimiento epitaxial de GaN. Esperamos sinceramente su consulta adicional.
Leer másEnviar Consulta
Portador de recubrimiento CVD TaC
El portador de recubrimiento CVD TaC de VeTek Semiconductor está diseñado principalmente para el proceso epitaxial de fabricación de semiconductores. El punto de fusión ultra alto del portador de recubrimiento CVD TaC, su excelente resistencia a la corrosión y su excelente estabilidad térmica determinan la indispensabilidad de este producto en el proceso epitaxial de semiconductores. Esperamos sinceramente construir una relación comercial a largo plazo con usted.
Leer másEnviar Consulta
Anillo guía de recubrimiento TaC
El anillo guía de revestimiento TaC de VeTek Semiconductor se crea aplicando un revestimiento de carburo de tantalio sobre piezas de grafito utilizando una técnica muy avanzada llamada deposición química de vapor (CVD). Este método está bien establecido y ofrece propiedades de recubrimiento excepcionales. Al utilizar el anillo guía de recubrimiento de TaC, la vida útil de los componentes de grafito se puede extender significativamente, se puede suprimir el movimiento de las impurezas de grafito y se puede mantener de manera confiable la calidad del monocristal de SiC y AIN. Bienvenido a consultarnos.
Leer másEnviar Consulta
Susceptor de grafito recubierto de TaC
El susceptor de grafito recubierto de TaC de VeTek Semiconductor utiliza el método de deposición química de vapor (CVD) para preparar un recubrimiento de carburo de tantalio en la superficie de las piezas de grafito. Este proceso es el más maduro y tiene las mejores propiedades de recubrimiento. El susceptor de grafito recubierto de TaC puede extender la vida útil de los componentes de grafito, inhibir la migración de impurezas de grafito y garantizar la calidad de la epitaxia. VeTek Semiconductor espera su consulta.
Leer másEnviar Consulta
Susceptor de recubrimiento TaC
VeTek Semiconductor presenta el susceptor de recubrimiento TaC. Con su excepcional recubrimiento TaC, este susceptor ofrece una multitud de ventajas que lo diferencian de las soluciones convencionales. Al integrarse perfectamente en los sistemas existentes, el susceptor de recubrimiento TaC de VeTek Semiconductor garantiza compatibilidad y funcionamiento eficiente. Su rendimiento confiable y su recubrimiento de TaC de alta calidad brindan constantemente resultados excepcionales en los procesos de epitaxia de SiC. Estamos comprometidos a brindar productos de calidad a precios competitivos y esperamos ser su socio a largo plazo en China.
Leer másEnviar Consulta
Placa de rotación de recubrimiento TaC
La placa de rotación con recubrimiento TaC de VeTek Semiconductor cuenta con un excelente recubrimiento TaC. Con su excepcional recubrimiento TaC, la placa de rotación con recubrimiento TaC cuenta con una notable resistencia a altas temperaturas e inercia química, que la distinguen de las soluciones tradicionales. Estamos comprometidos a proporcionar productos de calidad a precios competitivos. Precios y esperamos ser su socio a largo plazo en China.
Leer másEnviar Consulta
Como fabricante y proveedor profesional Proceso de epitaxia de SiC en China, tenemos nuestra propia fábrica. Si necesita servicios personalizados para satisfacer las necesidades específicas de su región o desea comprar Proceso de epitaxia de SiC avanzado y duradero fabricado en China, puede dejarnos un mensaje.
