GaN en aceptor epi de SiC

como profesionalfabricante de semiconductoresen China,Semiconductores VeTek GaN en aceptor epi de SiCes un componente clave en el proceso de preparación deGaN sobre SiCdispositivos, y su rendimiento incide directamente en la calidad de la capa epitaxial. Con la aplicación generalizada de GaN en dispositivos de SiC en electrónica de potencia, dispositivos de RF y otros campos, los requisitos paraReceptor SiC episerá cada vez más alto. VeTek Semiconductor se enfoca en brindar la última tecnología y soluciones de productos para la industria de semiconductores y agradece su consulta.

Generalmente, el papel deGaN en aceptor epi de SiCen el procesamiento de semiconductores es el siguiente:

Capacidad de procesamiento a alta temperatura: El epi susceptor de GaN sobre SiC (GaN basado en un disco de crecimiento epitaxial de carburo de silicio) se utiliza principalmente en el proceso de crecimiento epitaxial de nitruro de galio (GaN), especialmente en ambientes de alta temperatura. Este disco de crecimiento epitaxial puede soportar temperaturas de procesamiento extremadamente altas, generalmente entre 1000 °C y 1500 °C, lo que lo hace adecuado para el crecimiento epitaxial de materiales de GaN y el procesamiento de sustratos de carburo de silicio (SiC).

Excelente conductividad térmica: El episusceptor de SiC debe tener una buena conductividad térmica para transferir uniformemente el calor generado por la fuente de calentamiento al sustrato de SiC para garantizar la uniformidad de la temperatura durante el proceso de crecimiento. El carburo de silicio tiene una conductividad térmica extremadamente alta (alrededor de 120-150 W/mK) y el GaN sobre episusceptor de SiC puede conducir el calor de manera más efectiva que los materiales tradicionales como el silicio. Esta característica es crucial en el proceso de crecimiento epitaxial del nitruro de galio porque ayuda a mantener la uniformidad de temperatura del sustrato, mejorando así la calidad y consistencia de la película.

Prevenir la contaminación: Los materiales y el proceso de tratamiento de la superficie del susceptor epi de GaN sobre SiC deben poder prevenir la contaminación del entorno de crecimiento y evitar la introducción de impurezas en la capa epitaxial.

Como fabricante profesional deGaN en aceptor epi de SiC, Grafito porosoyPlaca de revestimiento TaCEn China, VeTek Semiconductor siempre insiste en brindar servicios de productos personalizados y se compromete a brindar a la industria la mejor tecnología y soluciones de productos. Esperamos sinceramente su consulta y cooperación.

Propiedades físicas básicas del recubrimiento CVD SiC.:

Talleres de producción de susceptores epi de GaN en SiC:

Descripción general de la cadena de la industria de la epitaxia de chips semiconductores：