Susceptor epitaxial GaN a base de silicio

VeTek Semiconductor es un fabricante y proveedor profesional dedicado a proporcionar susceptor epitaxial GaN a base de silicio de alta calidad. El semiconductor susceptor se utiliza en el sistema VEECO K465i GaN MOCVD, alta pureza, resistencia a altas temperaturas, resistencia a la corrosión, ¡bienvenido a consultar y cooperar con nosotros!

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Descripción del Producto

VeTek Semiconducto es un fabricante líder profesional de susceptor epitaxial GaN a base de silicio en China con alta calidad y precio razonable. Bienvenido a contactarnos.

El susceptor epitaxial de GaN a base de silicio VeTek Semiconductor es un componente clave en el sistema MOCVD de GaN VEECO K465i para soportar y calentar el sustrato de silicio del material de GaN durante el crecimiento epitaxial.

El susceptor epitaxial GaN a base de silicio VeTek Semiconductor adopta material de grafito de alta pureza y alta calidad como sustrato, que tiene buena estabilidad y conducción de calor en el proceso de crecimiento epitaxial. Este sustrato es capaz de soportar ambientes de alta temperatura, asegurando la estabilidad y confiabilidad del proceso de crecimiento epitaxial.

Para mejorar la eficiencia y la calidad del crecimiento epitaxial, el recubrimiento de la superficie de este susceptor utiliza carburo de silicio de alta pureza y alta uniformidad. El recubrimiento de carburo de silicio tiene una excelente resistencia a altas temperaturas y estabilidad química, y puede resistir eficazmente la reacción química y la corrosión en el proceso de crecimiento epitaxial.

El diseño y la selección de materiales de este susceptor de oblea están diseñados para proporcionar una conductividad térmica, estabilidad química y resistencia mecánica óptimas para respaldar el crecimiento de epitaxia de GaN de alta calidad. Su alta pureza y alta uniformidad aseguran consistencia y uniformidad durante el crecimiento, lo que da como resultado una película de GaN de alta calidad.

En general, el susceptor epitaxial GaN a base de silicio es un producto de alto rendimiento diseñado específicamente para el sistema VEECO K465i GaN MOCVD mediante el uso de un sustrato de grafito de alta pureza y calidad y un recubrimiento de carburo de silicio de alta pureza y uniformidad. Proporciona estabilidad, confiabilidad y soporte de alta calidad para el proceso de crecimiento epitaxial.

Propiedades físicas del grafito isostático.
Propiedad	Unidad	Valor típico
Densidad a Granel	gramos/cm³	1.83
Dureza	HSD	58
Resistividad electrica	mΩ.m	10
Fuerza flexible	MPa	47
Fuerza compresiva	MPa	103
Resistencia a la tracción	MPa	31
El módulo de Young	GPa	11.8
Expansión Térmica (CTE)	10-6K-1	4.6
Conductividad térmica	W·m-1·K-1	130
Tamaño promedio de grano	µm	8-10
Porosidad	%	10
Contenido de cenizas	ppm	≤10 (después de purificado)

Propiedades físicas del susceptor epitaxial GaN a base de silicio:

Propiedades físicas básicas del recubrimiento CVD SiC.
Propiedad	Valor típico
Estructura cristalina	FCC fase β policristalina, principalmente orientada (111)
Densidad	3,21 g/cm³
Dureza	Dureza Vickers 2500 (carga de 500 g)
Tamaño de grano	2~10μm
Pureza química	99,99995%
Capacidad calorífica	640 J·kg-1·K-1
Temperatura de sublimación	2700 ℃
Fuerza flexible	415 MPa RT de 4 puntos
El módulo de Young	Curva de 430 Gpa 4 puntos, 1300 ℃
Conductividad térmica	300W·m-1·K-1
Expansión Térmica (CTE)	4,5×10-6K-1

Nota: Antes del recubrimiento, haremos la primera purificación; después del recubrimiento, haremos la segunda purificación.

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