Susceptor epitaxial MOCVD para oblea de 4"

VeTek Semiconductor es un fabricante y proveedor profesional que se dedica a proporcionar susceptor epitaxial MOCVD de alta calidad para oblea de 4". Con una rica experiencia en la industria y un equipo profesional, podemos ofrecer soluciones expertas y eficientes a nuestros clientes.

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Descripción del Producto

VeTek Semiconductor es un fabricante líder profesional de susceptor epitaxial MOCVD de China para obleas de 4" con alta calidad y precio razonable. Bienvenido a contactarnos. El susceptor epitaxial MOCVD para obleas de 4" es un componente crítico en la deposición química de vapor organometálico (MOCVD) proceso, que se utiliza ampliamente para el crecimiento de películas delgadas epitaxiales de alta calidad, incluido el nitruro de galio (GaN), el nitruro de aluminio (AlN) y el carburo de silicio (SiC). El susceptor sirve como plataforma para sostener el sustrato durante el proceso de crecimiento epitaxial y desempeña un papel crucial para garantizar una distribución uniforme de la temperatura, una transferencia de calor eficiente y condiciones óptimas de crecimiento.

El susceptor epitaxial MOCVD para oblea de 4" generalmente está hecho de grafito de alta pureza, carburo de silicio u otros materiales con excelente conductividad térmica, inercia química y resistencia al choque térmico.

Aplicaciones:

Los susceptores epitaxiales MOCVD encuentran aplicaciones en diversas industrias, que incluyen:

Electrónica de potencia: crecimiento de transistores de alta movilidad electrónica (HEMT) basados en GaN para aplicaciones de alta potencia y alta frecuencia.

Optoelectrónica: crecimiento de diodos emisores de luz (LED) y diodos láser basados en GaN para tecnologías eficientes de iluminación y visualización.

Sensores: crecimiento de sensores piezoeléctricos basados en AlN para detección de presión, temperatura y ondas acústicas.

Electrónica de alta temperatura: crecimiento de dispositivos de potencia basados en SiC para aplicaciones de alta temperatura y alta potencia.

Parámetro del producto del susceptor epitaxial MOCVD para oblea de 4"

Propiedades físicas del grafito isostático.
Propiedad	Unidad	Valor típico
Densidad a Granel	gramos/cm³	1.83
Dureza	HSD	58
Resistividad electrica	mΩ.m	10
Fuerza flexible	MPa	47
Fuerza compresiva	MPa	103
Resistencia a la tracción	MPa	31
El módulo de Young	GPa	11.8
Expansión Térmica (CTE)	10-6K-1	4.6
Conductividad térmica	W·m-1·K-1	130
Tamaño promedio de grano	µm	8-10
Porosidad	%	10
Contenido de cenizas	ppm	≤10 (después de purificado)

Nota: Antes del recubrimiento, haremos la primera purificación; después del recubrimiento, haremos la segunda purificación.

Propiedades físicas básicas del recubrimiento CVD SiC.
Propiedad	Valor típico
Estructura cristalina	FCC fase β policristalina, principalmente orientada (111)
Densidad	3,21 g/cm³
Dureza	Dureza Vickers 2500 (carga de 500 g)
Tamaño de grano	2~10μm
Pureza química	99,99995%
Capacidad calorífica	640 J·kg-1·K-1
Temperatura de sublimación	2700 ℃
Fuerza flexible	415 MPa RT de 4 puntos
El módulo de Young	Curva de 430 Gpa 4 puntos, 1300 ℃
Conductividad térmica	300W·m-1·K-1
Expansión Térmica (CTE)	4,5×10-6K-1

Taller de producción de semiconductores VeTek

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