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Segmentos de cubierta de revestimiento de SiC
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Segmentos de cubierta de revestimiento de SiC

Vetek Semiconductor se dedica al avance y comercialización de recubrimientos CVD SiC y recubrimientos CVD TaC. A modo de ilustración, nuestros segmentos de cubierta con revestimiento de SiC se someten a un procesamiento meticuloso, lo que da como resultado un revestimiento denso de SiC CVD con una precisión excepcional. Presenta una notable resistencia a las altas temperaturas y ofrece una sólida protección contra la corrosión. Agradecemos sus consultas.

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Descripción del Producto

Puede estar seguro de comprar segmentos de cubierta con revestimiento de SiC en nuestra fábrica.

La tecnología Micro LED está revolucionando el ecosistema LED existente con métodos y enfoques que hasta ahora sólo se habían visto en las industrias de LCD o semiconductores. El sistema Aixtron G5 MOCVD soporta perfectamente estos estrictos requisitos de extensión. Es un potente reactor MOCVD diseñado principalmente para el crecimiento de epitaxia de GaN basado en silicio.

Aixtron G5 es un sistema de epitaxia de disco planetario horizontal, que consta principalmente de componentes como el disco planetario con revestimiento de SiC CVD, el susceptor MOCVD, los segmentos de cubierta con revestimiento de SiC, el anillo de cubierta con revestimiento de SiC, el techo con revestimiento de SiC, el anillo de soporte con revestimiento de SiC, el disco de cubierta con revestimiento de SiC. Colector de escape con revestimiento de SiC, arandela de pasador, anillo de entrada del colector, etc.

Como fabricante de recubrimiento CVD SiC, VeTek Semiconductor ofrece segmentos de cubierta de recubrimiento SiC Aixtron G5. Estos susceptores están hechos de grafito de alta pureza y cuentan con un recubrimiento CVD SiC con impurezas inferiores a 5 ppm.

Los productos de segmentos de cubierta de recubrimiento CVD SiC exhiben una excelente resistencia a la corrosión, una conductividad térmica superior y una estabilidad a altas temperaturas. Estos productos resisten eficazmente la corrosión y oxidación química, asegurando durabilidad y estabilidad en ambientes hostiles. La excelente conductividad térmica permite una transferencia de calor eficiente, mejorando la eficiencia de la gestión térmica. Con su estabilidad a altas temperaturas y resistencia al choque térmico, los recubrimientos CVD SiC pueden soportar condiciones extremas. Previenen la disolución y oxidación del sustrato de grafito, reduciendo la contaminación y mejorando la eficiencia de producción y la calidad del producto. La superficie de recubrimiento plana y uniforme proporciona una base sólida para el crecimiento de la película, minimizando los defectos causados ​​por la falta de coincidencia de la red y mejorando la cristalinidad y la calidad de la película. En resumen, los productos de grafito recubiertos de CVD SiC ofrecen soluciones de materiales confiables para diversas aplicaciones industriales, combinando una excepcional resistencia a la corrosión, conductividad térmica y estabilidad a altas temperaturas.


Propiedades físicas básicas del recubrimiento CVD SiC:

Propiedades físicas básicas del recubrimiento CVD SiC.
Propiedad Valor típico
Estructura cristalina FCC fase β policristalina, principalmente orientada (111)
Densidad 3,21 g/cm³
Dureza Dureza Vickers 2500 (carga de 500 g)
Tamaño de grano 2~10μm
Pureza química 99,99995%
Capacidad calorífica 640 J·kg-1·K-1
Temperatura de sublimación 2700 ℃
Fuerza flexible 415 MPa RT de 4 puntos
El módulo de Young Curva de 430 Gpa 4 puntos, 1300 ℃
Conductividad térmica 300W·m-1·K-1
Expansión Térmica (CTE) 4,5×10-6K-1


Cadena Industrial:


Taller de producción


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