Susceptor MOCVD recubierto de SiC

El susceptor MOCVD recubierto de SiC de VeTek Semiconductor es un dispositivo con excelente proceso, durabilidad y confiabilidad. Pueden soportar altas temperaturas y ambientes químicos, mantener un rendimiento estable y una larga vida útil, reduciendo así la frecuencia de reemplazo y mantenimiento y mejorando la eficiencia de producción. Nuestro susceptor epitaxial MOCVD es reconocido por su alta densidad, excelente planitud y excelente control térmico, lo que lo convierte en el equipo preferido en entornos de fabricación hostiles. Esperamos cooperar con usted.

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Descripción del Producto

Encuentre una gran selección de revestimientos de SiCAceptador MOCVDde China en VeTek Semiconductor. Proporcionar un servicio postventa profesional y el precio correcto, esperando la cooperación.

Semiconductores VeTekSusceptores epitaxiales MOCVDestán diseñados para soportar ambientes de alta temperatura y condiciones químicas duras comunes en el proceso de producción de obleas. Mediante ingeniería de precisión, estos componentes se adaptan para cumplir con los estrictos requisitos de los sistemas de reactores epitaxiales. Nuestros susceptores epitaxiales MOCVD están fabricados con sustratos de grafito de alta calidad recubiertos con una capa decarburo de silicio (SiC), que no solo tiene una excelente resistencia a las altas temperaturas y a la corrosión, sino que también garantiza una distribución uniforme del calor, lo cual es fundamental para mantener una deposición constante de la película epitaxial.

Además, nuestros susceptores semiconductores tienen un rendimiento térmico excelente, lo que permite un control de temperatura rápido y uniforme para optimizar el proceso de crecimiento de los semiconductores. Son capaces de resistir el ataque de altas temperaturas, oxidación y corrosión, lo que garantiza un funcionamiento confiable incluso en los entornos operativos más desafiantes.

Además, los susceptores MOCVD recubiertos de SiC están diseñados centrándose en la uniformidad, lo cual es fundamental para lograr sustratos monocristalinos de alta calidad. El logro de la planitud es esencial para lograr un excelente crecimiento monocristalino en la superficie de la oblea.

En VeTek Semiconductor, nuestra pasión por superar los estándares de la industria es tan importante como nuestro compromiso con la rentabilidad para nuestros socios. Nos esforzamos por ofrecer productos como el susceptor epitaxial MOCVD para satisfacer las necesidades siempre cambiantes de la fabricación de semiconductores y anticiparnos a sus tendencias de desarrollo para garantizar que su operación esté equipada con las herramientas más avanzadas. Esperamos construir una asociación a largo plazo con usted y brindarle soluciones de calidad.

Parámetro del producto del Susceptor MOCVD recubierto de SiC:

Propiedades físicas básicas del recubrimiento CVD SiC.
Propiedad	Valor típico
Estructura cristalina	FCC fase β policristalina, principalmente orientada (111)
Densidad	3,21 g/cm³
Dureza	Dureza Vickers 2500 (carga de 500 g)
Tamaño del grano	2~10μm
Pureza química	99,99995%
Capacidad calorífica	640 J·kg^-1·k^-1
Temperatura de sublimación	2700 ℃
Resistencia a la flexión	415 MPa RT de 4 puntos
Módulo de Young	Curva de 430 Gpa 4 puntos, 1300 ℃
Conductividad térmica	300W·m^-1·k^-1
Expansión Térmica (CTE)	4,5×10^-6K^-1

CVD SIC FILM CRYSTAL STRUCTURE

DATOS SEM DE LA ESTRUCTURA CRISTALINA DE LA PELÍCULA CVD SIC

Susceptor MOCVD recubierto de SiC de VeTek Semiconductor Taller de producción:

SiC Coated MOCVD Susceptor Production Shop

Descripción general de la cadena de la industria de la epitaxia de chips semiconductores:

semiconductor chip epitaxy industry chain

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