Sustrato de SiC tipo semiaislante 4H

Vetek Semiconductor 4H Semi Aislante Tipo SiC desempeña múltiples funciones clave en el proceso de procesamiento de semiconductores. Combinado con su alta resistividad, alta conductividad térmica, amplia banda prohibida y otras propiedades, se usa ampliamente en campos de alta frecuencia, alta potencia y alta temperatura, especialmente en aplicaciones de microondas y RF. Es un producto componente indispensable en el proceso de fabricación de semiconductores.

La resistividad del sustrato de SiC semiaislante 4H de Vetek Semiconductor suele estar entre 10^6 Ω·cm y 10^9 Ω·cm. Esta alta resistividad puede suprimir las corrientes parásitas y reducir la interferencia de la señal, especialmente en aplicaciones de alta frecuencia y alta potencia. Más importante aún, la alta resistividad del sustrato de SiC tipo 4H SI tiene una corriente de fuga extremadamente baja a alta temperatura y alta presión, lo que puede garantizar la estabilidad y confiabilidad del dispositivo.

La intensidad del campo eléctrico de ruptura del sustrato de SiC tipo 4H SI es tan alta como 2,2-3,0 MV/cm, lo que determina que el sustrato de SiC tipo 4H SI puede soportar voltajes más altos sin fallar, por lo que el producto es muy adecuado para trabajar bajo condiciones de alto voltaje y alta potencia. Más importante aún, el sustrato de SiC tipo 4H SI tiene una amplia banda prohibida de aproximadamente 3,26 eV, por lo que el producto puede mantener un excelente rendimiento de aislamiento a alta temperatura y alto voltaje y reducir el ruido electrónico.

Además, la conductividad térmica del sustrato de SiC tipo 4H SI es de aproximadamente 4,9 W/cm·K, por lo que este producto puede reducir eficazmente el problema de la acumulación de calor en aplicaciones de alta potencia y prolongar la vida útil del dispositivo. Adecuado para dispositivos electrónicos en ambientes de alta temperatura.

Al hacer crecer una capa epitaxial de GaN sobre un sustrato de carburo de silicio semiaislante, la oblea epitaxial de GaN a base de carburo de silicio se puede convertir en dispositivos de radiofrecuencia de microondas como HEMT, que se utilizan en comunicación de información, detección de radio y otros campos.

Vetek Semiconductor busca constantemente una mayor calidad del cristal y de procesamiento para satisfacer las necesidades de los clientes. Actualmente, hay disponibles productos de 4 y 6 pulgadas, y se están desarrollando productos de 8 pulgadas. 

Sustrato de SiC semiaislante ESPECIFICACIONES BÁSICAS DEL PRODUCTO:

Sustrato semiaislante de SiC ESPECIFICACIONES DE CALIDAD DEL CRISTAL:

Terminología y método de detección de sustrato de SiC semiaislante 4H: