VeTek Semiconductor es un fabricante e innovador líder de susceptor de barril recubierto de SiC para LPE PE2061S en China. Nos hemos especializado en material de recubrimiento de SiC durante muchos años. Ofrecemos un susceptor de barril recubierto de SiC diseñado específicamente para obleas LPE PE2061S de 4''. Este susceptor cuenta con un revestimiento duradero de carburo de silicio que mejora el rendimiento y la durabilidad durante el proceso LPE (epitaxia en fase líquida). Le invitamos a visitar nuestra fábrica en China.
VeTek Semiconductor es un susceptor de barril recubierto de SiC profesional de China paraLPE PE2061Sfabricante y proveedor.
El susceptor de barril recubierto de SiC de VeTeK Semiconductor para LPE PE2061S es un producto de alto rendimiento creado aplicando una fina capa de carburo de silicio sobre la superficie de grafito isotrópico altamente purificado. Esto se logra mediante la tecnología patentada de VeTeK Semiconductor.Deposición química de vapor (CVD)proceso.
Nuestro susceptor de barril recubierto de SiC para LPE PE2061S es un tipo de reactor de barril de deposición epitaxial CVD diseñado para ofrecer un rendimiento confiable en entornos extremos. Su excepcional adherencia del recubrimiento, resistencia a la oxidación a altas temperaturas y a la corrosión lo convierten en una excelente opción para su uso en condiciones adversas. Además, su perfil térmico uniforme y su patrón de flujo de gas laminar previenen la contaminación, asegurando un crecimiento epitaxial de alta calidad.
El diseño en forma de barril de nuestro semiconductorreactor epitaxialOptimiza los patrones de flujo laminar de gas, asegurando una distribución uniforme del calor. Esto ayuda a prevenir cualquier contaminación o difusión de impurezas,garantizar un crecimiento epitaxial de alta calidad en sustratos de obleas.
Estamos dedicados a proporcionar a nuestros clientes productos rentables y de alta calidad. Nuestro susceptor de barril recubierto de CVD SiC ofrece la ventaja de competitividad en precio y al mismo tiempo mantiene una densidad excelente tanto para elsustrato de grafitoyrevestimiento de carburo de silicio, proporcionando una protección confiable en entornos de trabajo corrosivos y de alta temperatura.
DATOS SEM DE LA ESTRUCTURA CRISTALINA DE LA PELÍCULA CVD SIC:
El susceptor cilíndrico recubierto de SiC para el crecimiento monocristalino presenta una superficie muy lisa.
Minimiza la diferencia en el coeficiente de expansión térmica entre el sustrato de grafito y
Revestimiento de carburo de silicio, que mejora eficazmente la fuerza de unión y previene el agrietamiento y la delaminación.
Tanto el sustrato de grafito como el revestimiento de carburo de silicio tienen una alta conductividad térmica y excelentes capacidades de distribución térmica.
Tiene un alto punto de fusión, alta temperatura.resistencia a la oxidación, yresistencia a la corrosión.
Propiedades físicas básicas del recubrimiento CVD SiC. | |
Propiedad | Valor típico |
Estructura cristalina | FCC fase β policristalina, principalmente orientada (111) |
Densidad | 3,21 g/cm³ |
Dureza | Dureza Vickers 2500 (carga de 500 g) |
Tamaño del grano | 2~10μm |
Pureza química | 99,99995% |
Capacidad calorífica | 640 J·kg-1·k-1 |
Temperatura de sublimación | 2700 ℃ |
Resistencia a la flexión | 415 MPa RT de 4 puntos |
Módulo de Young | Curva de 430 Gpa 4 puntos, 1300 ℃ |
Conductividad térmica | 300W·m-1·k-1 |
Expansión Térmica (CTE) | 4,5×10-6K-1 |