Susceptor ALD con revestimiento de SiC

Semiconductores VeTekSusceptor ALD con revestimiento de SiCjuega un papel vital en la deposición de la capa atómica (ALD) proceso. Su control preciso de la temperatura, distribución uniforme del gas, alta resistencia química y excelente conductividad térmica garantizan la uniformidad y alta calidad del proceso de deposición de la película. Si quieres saber más, puedes consultarnos inmediatamente y te responderemos a tiempo.

Control preciso de la temperatura:

El susceptor ALD con revestimiento de SiC suele tener un sistema de control de temperatura de alta precisión. Es capaz de mantener una temperatura ambiente uniforme durante todo el proceso de deposición, lo cual es crucial para garantizar la uniformidad y calidad de la película.

Distribución uniforme de gas:

El diseño optimizado del susceptor ALD con recubrimiento de SiC garantiza la distribución uniforme del gas durante el proceso de deposición de ALD. Su estructura generalmente incluye múltiples piezas giratorias o móviles para promover una cobertura uniforme de gases reactivos en toda la superficie de la oblea.

Alta resistencia química:

Dado que el proceso ALD involucra una variedad de gases químicos, el susceptor ALD con recubrimiento de SiC generalmente está hecho de materiales resistentes a la corrosión (como platino, cerámica o cuarzo de alta pureza) para resistir la erosión de los gases químicos y la influencia de ambientes de alta temperatura.

Excelente conductividad térmica:

Para conducir el calor de forma eficaz y mantener una temperatura de deposición estable, los susceptores ALD con revestimiento de SiC suelen utilizar materiales de alta conductividad térmica. Esto ayuda a evitar el sobrecalentamiento local y la deposición desigual.

Propiedades físicas básicas del recubrimiento CVD SiC.:

Talleres de producción:

Descripción general de la cadena de la industria de la epitaxia de chips semiconductores：