Susceptor planetario ALD

Proceso ALD, significa proceso de epitaxia de capa atómica. Los fabricantes de sistemas Vetek Semiconductor y ALD han desarrollado y producido susceptores planetarios ALD recubiertos de SiC que cumplen con los altos requisitos del proceso ALD para distribuir uniformemente el flujo de aire sobre el sustrato. Al mismo tiempo, el recubrimiento CVD SiC de alta pureza de Vetek Semiconductor garantiza la pureza del proceso. Bienvenido a discutir la cooperación con nosotros.

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Descripción del Producto

Como fabricante profesional, Vetek Semiconductor desea ofrecerle un susceptor planetario ALD recubierto de SiC.

El proceso ALD, conocido como epitaxia de capa atómica, constituye el pináculo de la precisión en la tecnología de deposición de películas delgadas. Vetek Semiconductor, en colaboración con los principales fabricantes de sistemas ALD, ha sido pionero en el desarrollo y fabricación de susceptores planetarios ALD recubiertos de SiC de última generación. Estos susceptores innovadores han sido diseñados meticulosamente para superar las estrictas demandas del proceso ALD, asegurando la distribución uniforme del flujo de aire a través del sustrato con una precisión y eficiencia incomparables.

Además, el compromiso de Vetek Semiconductor con la excelencia se resume en la utilización de recubrimientos CVD SiC de alta pureza, que garantizan un nivel de pureza crucial para el éxito de cada ciclo de deposición. Esta dedicación a la calidad no solo mejora la confiabilidad del proceso sino que también eleva el rendimiento general y la reproducibilidad de los procesos ALD en diversas aplicaciones.

Ventajas de la descripción general de la tecnología ALD:

Control preciso del espesor: Logre un espesor de película subnanométrico con excelente repetibilidad mediante el control de los ciclos de deposición.

Suavidad de la superficie: la perfecta conformidad 3D y la cobertura del 100% del paso garantizan recubrimientos suaves que siguen completamente la curvatura del sustrato.

Amplia aplicabilidad: Recubrible sobre diversos objetos, desde obleas hasta polvos, adecuado para sustratos sensibles.

Propiedades de materiales personalizables: Fácil personalización de propiedades de materiales para óxidos, nitruros, metales, etc.

Amplia ventana de proceso: Insensibilidad a las variaciones de temperatura o precursores, lo que favorece la producción por lotes con una perfecta uniformidad del espesor del recubrimiento.

Le invitamos cordialmente a entablar un diálogo con nosotros para explorar posibles colaboraciones y asociaciones. Juntos, podemos desbloquear nuevas posibilidades e impulsar la innovación en el ámbito de la tecnología de deposición de películas delgadas.

Propiedades físicas básicas del recubrimiento CVD SiC:

Propiedades físicas básicas del recubrimiento CVD SiC.
Propiedad	Valor típico
Estructura cristalina	FCC fase β policristalina, principalmente orientada (111)
Densidad	3,21 g/cm³
Dureza	Dureza Vickers 2500 (carga de 500 g)
Tamaño de grano	2~10μm
Pureza química	99,99995%
Capacidad calorífica	640 J·kg-1·K-1
Temperatura de sublimación	2700 ℃
Fuerza flexible	415 MPa RT de 4 puntos
El módulo de Young	Curva de 430 Gpa 4 puntos, 1300 ℃
Conductividad térmica	300W·m-1·K-1
Expansión Térmica (CTE)	4,5×10-6K-1