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Anillo de enfoque de grabado de SiC sólido
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Anillo de enfoque de grabado de SiC sólido

VeTek Semiconductor es un fabricante e innovador líder en anillos de enfoque y grabado de SiC sólido en China. Nos hemos especializado en materiales de SiC durante muchos años. El SiC sólido se elige como material de anillo de enfoque debido a su excelente estabilidad termoquímica, alta resistencia mecánica y resistencia al plasma. Erosión. Esperamos convertirnos en su socio a largo plazo en China.

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Descripción del Producto

Puede estar seguro de comprar un anillo de enfoque de grabado de SiC sólido en nuestra fábrica. La revolucionaria tecnología de VeTek Semiconductor permite la producción de un anillo de enfoque de grabado de SiC sólido, un material de carburo de silicio de pureza ultra alta creado mediante el proceso de deposición química de vapor.

El anillo de enfoque de grabado de SiC sólido se utiliza en procesos de fabricación de semiconductores, particularmente en sistemas de grabado por plasma. El sólido anillo de enfoque de grabado de SiC es un componente crucial que ayuda a lograr un grabado preciso y controlado de obleas de carburo de silicio (SiC).


Durante el proceso de grabado con plasma, el anillo de enfoque desempeña múltiples funciones:

1. Enfoque del plasma: el anillo de enfoque de grabado de SiC sólido ayuda a dar forma y concentrar el plasma alrededor de la oblea, asegurando que el proceso de grabado se produzca de manera uniforme y eficiente. Ayuda a confinar el plasma en el área deseada, evitando grabados perdidos o daños en las regiones circundantes.

2. Protección de las paredes de la cámara: El anillo de enfoque actúa como una barrera entre el plasma y las paredes de la cámara, evitando el contacto directo y posibles daños. El SiC es altamente resistente a la erosión por plasma y proporciona una excelente protección para las paredes de la cámara.

3.Control de temperatura: el anillo de enfoque ayuda a mantener una distribución uniforme de la temperatura en la oblea durante el proceso de grabado. Ayuda a disipar el calor y previene el sobrecalentamiento localizado o gradientes térmicos que podrían afectar los resultados del grabado.

Se elige SiC sólido para los anillos de enfoque debido a su excelente estabilidad térmica y química, alta resistencia mecánica y resistencia a la erosión por plasma. Estas propiedades hacen del SiC un material adecuado para las duras y exigentes condiciones internas de los sistemas de grabado por plasma.

Vale la pena señalar que el diseño y las especificaciones de los anillos de enfoque pueden variar según el sistema de grabado por plasma específico y los requisitos del proceso. VeTek Semiconductor optimiza la forma, las dimensiones y las características de la superficie de los anillos de enfoque para garantizar un rendimiento de grabado óptimo y una longevidad. El SiC sólido se usa ampliamente para portadores de obleas, susceptores, oblea ficticia, anillos guía, piezas para procesos de grabado, procesos CVD, etc.


Parámetro del producto del anillo de enfoque de grabado de SiC sólido

Propiedades físicas del SiC sólido
Densidad 3.21 g/cm3
Resistividad de la electricidad 102 Ω/cm
Fuerza flexible 590 MPa (6000 kgf/cm2)
El módulo de Young 450 GPa (6000 kgf/mm2)
Dureza Vickers 26 GPa (2650 kgf/mm2)
CTE (RT-1000 ℃) 4.0 x10-6/K
Conductividad térmica (RT) 250 W/mK


Taller de producción de semiconductores VeTek


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