VeTek Semiconductor es un fabricante líder de materiales de recubrimiento de carburo de tantalio para la industria de semiconductores. Nuestra principal oferta de productos incluye piezas con revestimiento de carburo de tantalio CVD, piezas con revestimiento de TaC sinterizado para el crecimiento de cristales de SiC o procesos de epitaxia de semiconductores. Aprobado ISO9001, VeTek Semiconductor tiene un buen control de calidad. VeTek Semiconductor se dedica a convertirse en innovador en la industria de recubrimientos de carburo de tantalio mediante la investigación y el desarrollo continuos de tecnologías iterativas.
Los principales productos sonAnillo desertor de recubrimiento de carburo de tantalio, anillo de desviación recubierto de TaC, piezas de media luna recubiertas de TaC, disco de rotación planetario recubierto de carburo de tantalio (Aixtron G10), crisol recubierto de TaC; Anillos recubiertos de TaC; Grafito poroso recubierto de TaC; Susceptor de grafito con revestimiento de carburo de tantalio; Anillo guía recubierto de TaC; Placa recubierta de carburo de tantalio TaC; Susceptor de oblea recubierta con TaC; Anillo de revestimiento TaC; Cubierta de grafito con revestimiento TaC; Trozo recubierto de TaCetc., la pureza es inferior a 5 ppm y puede cumplir con los requisitos del cliente.
El grafito con revestimiento de TaC se crea recubriendo la superficie de un sustrato de grafito de alta pureza con una fina capa de carburo de tantalio mediante un proceso patentado de deposición química de vapor (CVD). La ventaja se muestra en la siguiente imagen:
El recubrimiento de carburo de tantalio (TaC) ha llamado la atención debido a su alto punto de fusión de hasta 3880 °C, excelente resistencia mecánica, dureza y resistencia a los choques térmicos, lo que lo convierte en una alternativa atractiva a los procesos de epitaxia de semiconductores compuestos con requisitos de temperatura más altos. como el sistema Aixtron MOCVD y el proceso de epitaxia LPE SiC. También tiene una amplia aplicación en el proceso de crecimiento de cristales de SiC del método PVT.
●Estabilidad de temperatura
●Pureza ultraalta
●Resistencia a H2, NH3, SiH4,Si
●Resistencia al stock térmico.
●Fuerte adherencia al grafito.
●Cobertura de revestimiento conformado
● Tamaño hasta 750 mm de diámetro (El único fabricante en China alcanza este tamaño)
● Susceptor de calentamiento inductivo
● Elemento calefactor resistivo
● Escudo térmico
Propiedades físicas del recubrimiento TaC. | |
Densidad | 14,3 (g/cm³) |
Emisividad específica | 0.3 |
Coeficiente de expansión térmica | 6.3 10-6/K |
Dureza (HK) | 2000 Hong Kong |
Resistencia | 1×10-5Ohmios*cm |
Estabilidad térmica | <2500℃ |
Cambios de tamaño de grafito | -10~-20um |
Espesor del recubrimiento | Valor típico ≥20um (35um±10um) |
Elemento | Porcentaje atómico | |||
pt. 1 | pt. 2 | pt. 3 | Promedio | |
CK | 52.10 | 57.41 | 52.37 | 53.96 |
A ellos | 47.90 | 42.59 | 47.63 | 46.04 |
VeTek Semiconductor es un fabricante profesional de placas de revestimiento TaC y otras piezas de repuesto de revestimiento TaC en China. Actualmente, el revestimiento TaC se utiliza principalmente en procesos como el crecimiento de monocristales de carburo de silicio (método PVT), disco epitaxial (incluida la epitaxia de carburo de silicio, epitaxia LED), etc. Combinado con la buena estabilidad a largo plazo de la placa de revestimiento TaC, VeTek Semiconductor TaC Coating Plate se ha convertido en el punto de referencia para los repuestos de TaC Coating. Esperamos que se convierta en nuestro socio a largo plazo.
Leer másEnviar ConsultaVeTek Semiconductor es un fabricante profesional de susceptor epi GaN sobre SiC, recubrimiento CVD de SiC y susceptor de grafito CVD TAC COATING en China. Entre ellos, el susceptor epi de GaN sobre SiC desempeña un papel vital en el procesamiento de semiconductores. Gracias a su excelente conductividad térmica, capacidad de procesamiento a alta temperatura y estabilidad química, garantiza la alta eficiencia y calidad del material del proceso de crecimiento epitaxial de GaN. Esperamos sinceramente su consulta adicional.
Leer másEnviar ConsultaEl portador de recubrimiento CVD TaC de VeTek Semiconductor está diseñado principalmente para el proceso epitaxial de fabricación de semiconductores. El punto de fusión ultra alto del portador de recubrimiento CVD TaC, su excelente resistencia a la corrosión y su excelente estabilidad térmica determinan la indispensabilidad de este producto en el proceso epitaxial de semiconductores. Esperamos sinceramente construir una relación comercial a largo plazo con usted.
Leer másEnviar ConsultaEl anillo guía de revestimiento TaC de VeTek Semiconductor se crea aplicando un revestimiento de carburo de tantalio sobre piezas de grafito utilizando una técnica muy avanzada llamada deposición química de vapor (CVD). Este método está bien establecido y ofrece propiedades de recubrimiento excepcionales. Al utilizar el anillo guía de recubrimiento de TaC, la vida útil de los componentes de grafito se puede extender significativamente, se puede suprimir el movimiento de las impurezas de grafito y se puede mantener de manera confiable la calidad del monocristal de SiC y AIN. Bienvenido a consultarnos.
Leer másEnviar ConsultaEl susceptor de grafito recubierto de TaC de VeTek Semiconductor utiliza el método de deposición química de vapor (CVD) para preparar un recubrimiento de carburo de tantalio en la superficie de las piezas de grafito. Este proceso es el más maduro y tiene las mejores propiedades de recubrimiento. El susceptor de grafito recubierto de TaC puede extender la vida útil de los componentes de grafito, inhibir la migración de impurezas de grafito y garantizar la calidad de la epitaxia. VeTek Semiconductor espera su consulta.
Leer másEnviar ConsultaVeTek Semiconductor presenta el susceptor de recubrimiento TaC. Con su excepcional recubrimiento TaC, este susceptor ofrece una multitud de ventajas que lo diferencian de las soluciones convencionales. Al integrarse perfectamente en los sistemas existentes, el susceptor de recubrimiento TaC de VeTek Semiconductor garantiza compatibilidad y funcionamiento eficiente. Su rendimiento confiable y su recubrimiento de TaC de alta calidad brindan constantemente resultados excepcionales en los procesos de epitaxia de SiC. Estamos comprometidos a brindar productos de calidad a precios competitivos y esperamos ser su socio a largo plazo en China.
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