Susceptor de recubrimiento TaC

VeTek Semiconductor presenta el susceptor de recubrimiento TaC. Con su excepcional recubrimiento TaC, este susceptor ofrece una multitud de ventajas que lo diferencian de las soluciones convencionales. Al integrarse perfectamente en los sistemas existentes, el susceptor de recubrimiento TaC de VeTek Semiconductor garantiza compatibilidad y funcionamiento eficiente. Su rendimiento confiable y su recubrimiento de TaC de alta calidad brindan constantemente resultados excepcionales en los procesos de epitaxia de SiC. Estamos comprometidos a brindar productos de calidad a precios competitivos y esperamos ser su socio a largo plazo en China.

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Descripción del Producto

El susceptor y el anillo recubiertos con TaC de VeTek Semiconductor trabajan juntos en el reactor de crecimiento epitaxial de carburo de silicio LPE:

Resistencia a altas temperaturas: El susceptor de recubrimiento TaC tiene una excelente resistencia a altas temperaturas, capaz de soportar temperaturas extremas de hasta 1500 °C en el reactor LPE. Esto garantiza que el equipo y los componentes no se deformen ni se dañen durante el funcionamiento a largo plazo.

Estabilidad química: El susceptor de recubrimiento TaC funciona excepcionalmente bien en el entorno corrosivo de crecimiento de carburo de silicio, protegiendo eficazmente los componentes del reactor del ataque químico corrosivo, extendiendo así su vida útil.

Estabilidad térmica: El susceptor de recubrimiento de TaC tiene buena estabilidad térmica, manteniendo la morfología y rugosidad de la superficie para garantizar la uniformidad del campo de temperatura en el reactor, lo que es beneficioso para el crecimiento de alta calidad de las capas epitaxiales de carburo de silicio.

Anticontaminación: la superficie lisa recubierta de TaC y el rendimiento superior de TPD (desorción programada por temperatura) pueden minimizar la acumulación y adsorción de partículas e impurezas dentro del reactor, evitando la contaminación de las capas epitaxiales.

En resumen, el susceptor y el anillo recubiertos de TaC desempeñan un papel protector fundamental en el reactor de crecimiento epitaxial de carburo de silicio LPE, lo que garantiza el funcionamiento estable a largo plazo del equipo y el crecimiento de alta calidad de las capas epitaxiales.

Parámetro del producto del susceptor de recubrimiento TaC:

Propiedades físicas del recubrimiento TaC.
Densidad	14,3 (g/cm³)
Emisividad específica	0.3
Coeficiente de expansión térmica	6,3 10-6/k
Dureza (HK)	2000 Hong Kong
Resistencia	1×10-5 ohmios*cm
Estabilidad térmica	<2500℃
Cambios de tamaño de grafito	-10~-20um
Espesor del recubrimiento	Valor típico ≥20um (35um±10um)