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China Recubrimiento de carburo de silicio Fabricante, proveedor, fábrica

VeTek Semiconductor se especializa en la producción de productos de recubrimiento de carburo de silicio ultra puro, estos recubrimientos están diseñados para aplicarse a grafito purificado, cerámica y componentes metálicos refractarios.


Nuestros recubrimientos de alta pureza están destinados principalmente a su uso en las industrias de semiconductores y electrónica. Sirven como capa protectora para portadores de obleas, susceptores y elementos calefactores, protegiéndolos de los entornos corrosivos y reactivos que se encuentran en procesos como MOCVD y EPI. Estos procesos son parte integral del procesamiento de obleas y la fabricación de dispositivos. Además, nuestros recubrimientos son adecuados para aplicaciones en hornos de vacío y calentamiento de muestras, donde se encuentran ambientes de alto vacío, reactivos y oxígeno.


En VeTek Semiconductor, ofrecemos una solución integral con nuestras capacidades avanzadas de taller mecánico. Esto nos permite fabricar los componentes base utilizando grafito, cerámica o metales refractarios y aplicar los recubrimientos cerámicos de SiC o TaC internamente. También brindamos servicios de recubrimiento para piezas suministradas por el cliente, lo que garantiza flexibilidad para satisfacer diversas necesidades.


Nuestros productos de recubrimiento de carburo de silicio se utilizan ampliamente en epitaxia de Si, epitaxia de SiC, sistema MOCVD, proceso RTP/RTA, proceso de grabado, proceso de grabado ICP/PSS, proceso de varios tipos de LED, incluidos LED azul y verde, LED UV y UV profundo. LED, etc., que se adapta a equipos de LPE, Aixtron, Veeco, Nuflare, TEL, ASM, Annealsys, TSI, etc.


Piezas del reactor que podemos hacer:


Aixtron G5 MOCVD Susceptors


Recubrimiento de carburo de silicio varias ventajas únicas:

Silicon Carbide Coating several unique advantages



Parámetro de recubrimiento de carburo de silicio semiconductor VeTek

Propiedades físicas básicas del recubrimiento CVD SiC.
Propiedad Valor típico
Estructura cristalina FCC fase β policristalina, principalmente orientada (111)
Densidad del recubrimiento de SiC 3,21 g/cm³
Recubrimiento de SiCDureza Dureza Vickers 2500 (carga de 500 g)
Tamaño del grano 2~10μm
Pureza química 99,99995%
Capacidad calorífica 640 J·kg-1·k-1
Temperatura de sublimación 2700 ℃
Resistencia a la flexión 415 MPa RT de 4 puntos
Módulo de Young Curva de 430 Gpa 4 puntos, 1300 ℃
Conductividad térmica 300W·m-1·k-1
Expansión Térmica (CTE) 4,5×10-6K-1

ESTRUCTURA CRISTALINA DE PELÍCULA CVD SIC

CVD SIC FILM CRYSTAL STRUCTURE



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Susceptor epitaxial GaN a base de silicio

Susceptor epitaxial GaN a base de silicio

El susceptor epitaxial de GaN a base de silicio es el componente central necesario para la producción de GaN epitaxial. VeTek Semiconductor, como fabricante y proveedor profesional, se compromete a proporcionar susceptor epitaxial GaN a base de silicio de alta calidad. Nuestro susceptor epitaxial de GaN a base de silicio está diseñado para sistemas de reactores epitaxiales de GaN a base de silicio y presenta alta pureza, excelente resistencia a altas temperaturas y resistencia a la corrosión. VeTek Semiconductor se compromete a proporcionar productos de calidad a precios competitivos, bienvenido a consultar.

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Pieza de media luna de 8 pulgadas para reactor LPE

Pieza de media luna de 8 pulgadas para reactor LPE

VeTek Semiconductor es un fabricante líder de equipos semiconductores en China, que se centra en la investigación y el desarrollo y la producción de piezas de media luna de 8 pulgadas para reactores LPE. Hemos acumulado una rica experiencia a lo largo de los años, especialmente en materiales de recubrimiento de SiC, y estamos comprometidos a brindar soluciones eficientes adaptadas a los reactores epitaxiales LPE. Nuestra pieza de media luna de 8 pulgadas para reactor LPE tiene un rendimiento y compatibilidad excelentes y es un componente clave indispensable en la fabricación epitaxial. Bienvenido a su consulta para obtener más información sobre nuestros productos.

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Susceptor de panqueques recubierto de SiC para obleas LPE PE3061S de 6''

Susceptor de panqueques recubierto de SiC para obleas LPE PE3061S de 6''

El susceptor de panqueques recubierto de SiC para obleas LPE PE3061S de 6'' es uno de los componentes principales utilizados en el procesamiento de obleas epitaxiales de obleas de 6''. VeTek Semiconductor es actualmente un fabricante y proveedor líder de susceptor de panqueque recubierto de SiC para obleas LPE PE3061S de 6'' en China. El susceptor tipo panqueque recubierto de SiC que proporciona tiene características excelentes, como alta resistencia a la corrosión, buena conductividad térmica y buena uniformidad. Esperamos su consulta.

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Soporte recubierto de SiC para LPE PE2061S

Soporte recubierto de SiC para LPE PE2061S

VeTek Semiconductor es un fabricante y proveedor líder de soporte recubierto de SiC para LPE PE2061S en China. El soporte recubierto de SiC para LPE PE2061S es adecuado para el reactor epitaxial de silicio LPE. Como parte inferior de la base del cilindro, el soporte recubierto de SiC para LPE PE2061S puede soportar altas temperaturas de 1600 grados Celsius, logrando así una vida útil ultralarga del producto y reduciendo los costos para el cliente. Esperamos su consulta y mayor comunicación.

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Placa superior recubierta de SiC para LPE PE2061S

Placa superior recubierta de SiC para LPE PE2061S

VeTek Semiconductor ha estado profundamente involucrado en productos de recubrimiento de SiC durante muchos años y se ha convertido en un fabricante y proveedor líder de placa superior recubierta de SiC para LPE PE2061S en China. La placa superior recubierta de SiC para LPE PE2061S que proporcionamos está diseñada para reactores epitaxiales de silicio LPE y está ubicada en la parte superior junto con la base del cilindro. Esta placa superior recubierta de SiC para LPE PE2061S tiene excelentes características como alta pureza, excelente estabilidad térmica y uniformidad, lo que ayuda a desarrollar capas epitaxiales de alta calidad. No importa qué producto necesite, esperamos su consulta.

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Susceptor de barril recubierto de SiC para LPE PE2061S

Susceptor de barril recubierto de SiC para LPE PE2061S

Como una de las principales plantas de fabricación de susceptores de obleas en China, VeTek Semiconductor ha logrado avances continuos en productos de susceptores de obleas y se ha convertido en la primera opción para muchos fabricantes de obleas epitaxiales. El susceptor de barril recubierto de SiC para LPE PE2061S proporcionado por VeTek Semiconductor está diseñado para obleas LPE PE2061S de 4''. El susceptor tiene un revestimiento duradero de carburo de silicio que mejora el rendimiento y la durabilidad durante el proceso LPE (epitaxia en fase líquida). Bienvenido a su consulta, esperamos convertirnos en su socio a largo plazo.

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Como fabricante y proveedor profesional Recubrimiento de carburo de silicio en China, tenemos nuestra propia fábrica. Si necesita servicios personalizados para satisfacer las necesidades específicas de su región o desea comprar Recubrimiento de carburo de silicio avanzado y duradero fabricado en China, puede dejarnos un mensaje.
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