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Susceptor de panqueques recubierto de SiC para obleas LPE PE3061S de 6''
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Susceptor de panqueques recubierto de SiC para obleas LPE PE3061S de 6''

VeTek Semiconductor es un fabricante e innovador líder de susceptor de panqueque recubierto de SiC para obleas LPE PE3061S de 6'' en China. Nos hemos especializado en material de recubrimiento de SiC durante muchos años. Ofrecemos un susceptor de panqueque recubierto de SiC diseñado específicamente para obleas LPE PE3061S de 6'' . Este susceptor epitaxial presenta alta resistencia a la corrosión, buen rendimiento de conducción de calor y buena uniformidad. Le invitamos a visitar nuestra fábrica en China.

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Descripción del Producto

Como fabricante profesional, VeTek Semiconductor desea ofrecerle un susceptor de panqueque recubierto de SiC de alta calidad para obleas LPE PE3061S de 6 ''.

El susceptor de panqueque recubierto de SiC VeTeK Semiconductor para obleas LPE PE3061S de 6" es un equipo crítico utilizado en los procesos de fabricación de semiconductores.


Susceptor de panqueques recubierto de SiC para obleas LPE PE3061S de 6" Características del producto:

Estabilidad a altas temperaturas: el SiC exhibe una excelente estabilidad a altas temperaturas, manteniendo su estructura y rendimiento en entornos de altas temperaturas.

Excelente conductividad térmica: el SiC tiene una conductividad térmica excepcional, lo que permite una transferencia de calor rápida y uniforme para un calentamiento rápido y uniforme.

Resistencia a la corrosión: el SiC posee una excelente estabilidad química y resiste la corrosión y la oxidación en diversos entornos de calentamiento.

Distribución uniforme del calor: el portador de oblea recubierto de SiC proporciona una distribución uniforme del calor, lo que garantiza una temperatura uniforme en toda la superficie de la oblea durante el calentamiento.

Adecuado para la producción de semiconductores: el portador de oblea de epitaxia de Si se usa ampliamente en procesos de fabricación de semiconductores, particularmente para el crecimiento de epitaxia de Si y otros procesos de calentamiento a alta temperatura.


Ventajas del producto:

Eficiencia de producción mejorada: el susceptor de panqueques recubierto de SiC permite un calentamiento rápido y uniforme, lo que reduce el tiempo de calentamiento y mejora la eficiencia de producción.

Calidad garantizada del producto: la distribución uniforme del calor garantiza la consistencia durante el procesamiento de obleas, lo que mejora la calidad del producto.

Vida útil prolongada del equipo: el material SiC ofrece una excelente resistencia al calor y estabilidad química, lo que contribuye a una vida útil más larga del susceptor tipo panqueque.

Soluciones personalizadas: el susceptor recubierto de SiC y el portador de oblea de epitaxia de Si se pueden adaptar a diferentes tamaños y especificaciones según los requisitos del cliente.


SEM data and structure of CVD SIC films


Propiedades físicas básicas del recubrimiento CVD SiC:

Propiedades físicas básicas del recubrimiento CVD SiC.
Propiedad Valor típico
Estructura cristalina FCC fase β policristalina, principalmente orientada (111)
Densidad 3,21 g/cm³
Dureza Dureza Vickers 2500 (carga de 500 g)
Tamaño del grano 2~10μm
Pureza química 99,99995%
Capacidad calorífica 640 J·kg-1·K-1
Temperatura de sublimación 2700 ℃
Resistencia a la flexión 415 MPa RT de 4 puntos
Módulo de Young Curva de 430 Gpa 4 puntos, 1300 ℃
Conductividad térmica 300W·m-1·K-1
Expansión Térmica (CTE) 4,5×10-6K-1


Taller de producción de semiconductores VeTek

VeTek Semiconductor Production Shop


Descripción general de la cadena de la industria de la epitaxia de chips semiconductores:

Overview of the semiconductor chip epitaxy industry chain


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