Deflector de crisol de grafito recubierto de SiC

VeTek Semiconductor tiene muchos años de experiencia en la producción de deflectores de crisol de grafito recubiertos de SiC de alta calidad. Contamos con un laboratorio propio para la investigación y el desarrollo de materiales, podemos respaldar sus diseños personalizados con una calidad superior. Le invitamos a visitar nuestra fábrica para obtener más información.

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Descripción del Producto

VeTek Semiconducotr es un fabricante y proveedor profesional de deflector de crisol de grafito recubierto de SiC en China. El deflector de crisol de grafito recubierto de SiC es un componente crucial en el equipo de horno monocristalino, cuya tarea es guiar suavemente el material fundido desde el crisol hasta la zona de crecimiento de cristales, asegurando la calidad y la forma del crecimiento de monocristales.

Las funciones de nuestro deflector de crisol de grafito recubierto de SiC son:

Control de flujo: Dirige el flujo de silicio fundido durante el proceso Czochralski, asegurando una distribución uniforme y un movimiento controlado del silicio fundido para promover el crecimiento de cristales.

Regulación de temperatura: Ayuda a regular la distribución de temperatura dentro del silicio fundido, asegurando condiciones óptimas para el crecimiento de los cristales y minimizando los gradientes de temperatura que podrían afectar la calidad del silicio monocristalino.

Prevención de la contaminación: al controlar el flujo de silicio fundido, ayuda a prevenir la contaminación del crisol u otras fuentes, manteniendo la alta pureza requerida para las aplicaciones de semiconductores.

Estabilidad: El deflector contribuye a la estabilidad del proceso de crecimiento del cristal al reducir la turbulencia y promover un flujo constante de silicio fundido, lo cual es crucial para lograr propiedades cristalinas uniformes.

Facilitación del crecimiento de cristales: al guiar el silicio fundido de manera controlada, el deflector facilita el crecimiento de un solo cristal a partir del silicio fundido, que es esencial para producir obleas de silicio monocristalino de alta calidad utilizadas en la fabricación de semiconductores.

Parámetro del producto del deflector de crisol de grafito recubierto de SiC

Propiedades físicas del grafito isostático.
Propiedad	Unidad	Valor típico
Densidad a Granel	gramos/cm³	1.83
Dureza	HSD	58
Resistividad electrica	mΩ.m	10
Fuerza flexible	MPa	47
Fuerza compresiva	MPa	103
Resistencia a la tracción	MPa	31
El módulo de Young	GPa	11.8
Expansión Térmica (CTE)	10-6K-1	4.6
Conductividad térmica	W·m-1·K-1	130
Tamaño promedio de grano	µm	8-10
Porosidad	%	10
Contenido de cenizas	ppm	≤10 (después de purificado)

Nota: Antes del recubrimiento, haremos la primera purificación; después del recubrimiento, haremos la segunda purificación.

Propiedades físicas básicas del recubrimiento CVD SiC.
Propiedad	Valor típico
Estructura cristalina	FCC fase β policristalina, principalmente orientada (111)
Densidad	3,21 g/cm³
Dureza	Dureza Vickers 2500 (carga de 500 g)
Tamaño de grano	2~10μm
Pureza química	99,99995%
Capacidad calorífica	640 J·kg-1·K-1
Temperatura de sublimación	2700 ℃
Fuerza flexible	415 MPa RT de 4 puntos
El módulo de Young	Curva de 430 Gpa 4 puntos, 1300 ℃
Conductividad térmica	300W·m-1·K-1
Expansión Térmica (CTE)	4,5×10-6K-1

Taller de producción de semiconductores VeTek

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