Susceptor de barril de grafito recubierto de SiC para EPI

VeTek Semiconductor es un fabricante, proveedor y exportador profesional de susceptores de cilindro de grafito recubierto de SiC para EPI. Con el respaldo de un equipo profesional y tecnología líder, VeTek Semiconductor puede ofrecerle alta calidad a precios razonables. Le invitamos a visitar nuestra fábrica para una mayor discusión.

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Descripción del Producto

VeTek Semiconductor es un fabricante y proveedor de China que produce principalmente susceptores de barril de grafito recubiertos de SiC para EPI con muchos años de experiencia. Esperamos construir una relación comercial con usted. EPI (Epitaxy) es un proceso crítico en la fabricación de semiconductores avanzados. Implica la deposición de finas capas de material sobre un sustrato para crear estructuras complejas de dispositivos. Los susceptores de barril de grafito recubiertos de SiC para EPI se usan comúnmente como susceptores en reactores EPI debido a su excelente conductividad térmica y resistencia a altas temperaturas. Con el recubrimiento CVD-SiC, se vuelve más resistente a la contaminación, la erosión y el choque térmico. Esto da como resultado una vida útil más larga para el susceptor y una mejor calidad de la película.

Ventajas de nuestro susceptor de barril de grafito recubierto de SiC:

Contaminación reducida: la naturaleza inerte del SiC evita que las impurezas se adhieran a la superficie del susceptor, lo que reduce el riesgo de contaminación de las películas depositadas.

Mayor resistencia a la erosión: el SiC es significativamente más resistente a la erosión que el grafito convencional, lo que prolonga la vida útil del susceptor.

Estabilidad térmica mejorada: el SiC tiene una excelente conductividad térmica y puede soportar altas temperaturas sin una distorsión significativa.

Calidad de película mejorada: la estabilidad térmica mejorada y la contaminación reducida dan como resultado películas depositadas de mayor calidad con mayor uniformidad y control de espesor.

Aplicaciones:

Los susceptores de cilindro de grafito recubiertos de SiC se utilizan ampliamente en diversas aplicaciones EPI, que incluyen:

LED basados en GaN

Electrónica de potencia

Dispositivos optoelectrónicos

Transistores de alta frecuencia

Sensores

Parámetro del producto del susceptor de barril de grafito recubierto de SiC

Propiedades físicas del grafito isostático.
Propiedad	Unidad	Valor típico
Densidad a Granel	gramos/cm³	1.83
Dureza	HSD	58
Resistividad electrica	mΩ.m	10
Fuerza flexible	MPa	47
Fuerza compresiva	MPa	103
Resistencia a la tracción	MPa	31
El módulo de Young	GPa	11.8
Expansión Térmica (CTE)	10-6K-1	4.6
Conductividad térmica	W·m-1·K-1	130
Tamaño promedio de grano	µm	8-10
Porosidad	%	10
Contenido de cenizas	ppm	≤10 (después de purificado)

Nota: Antes del recubrimiento, haremos la primera purificación; después del recubrimiento, haremos la segunda purificación.

Propiedades físicas básicas del recubrimiento CVD SiC.
Propiedad	Valor típico
Estructura cristalina	FCC fase β policristalina, principalmente orientada (111)
Densidad	3,21 g/cm³
Dureza	Dureza Vickers 2500 (carga de 500 g)
Tamaño de grano	2~10μm
Pureza química	99,99995%
Capacidad calorífica	640 J·kg-1·K-1
Temperatura de sublimación	2700 ℃
Fuerza flexible	415 MPa RT de 4 puntos
El módulo de Young	Curva de 430 Gpa 4 puntos, 1300 ℃
Conductividad térmica	300W·m-1·K-1
Expansión Térmica (CTE)	4,5×10-6K-1

Taller de producción de semiconductores VeTek

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