VeTek Semiconductor es un fabricante e innovador líder de conjuntos de susceptores LPE Si Epi en China. Nos hemos especializado en recubrimientos de SiC y revestimientos de TaC durante muchos años. Ofrecemos un conjunto de susceptores LPE Si Epi diseñado específicamente para obleas LPE PE2061S de 4''. El grado de coincidencia del material de grafito y el recubrimiento de SiC es bueno, la uniformidad es excelente y la vida útil es larga, lo que puede mejorar el rendimiento del crecimiento de la capa epitaxial durante el proceso LPE (epitaxia en fase líquida). Le invitamos a visitar nuestra fábrica en Porcelana.
VeTek Semiconductor es un fabricante y proveedor profesional de conjunto de susceptores LPE Si EPI en China.
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El conjunto de susceptores VeTeK Semiconductor LPE Si Epi es un producto de alto rendimiento creado aplicando una fina capa de carburo de silicio sobre la superficie de grafito isotrópico altamente purificado. Esto se logra mediante el proceso de deposición química de vapor (CVD) patentado por VeTeK Semiconductor.
El conjunto de susceptores LPE Si Epi de VeTek Semiconductor es un reactor de barril de deposición epitaxial CVD diseñado para funcionar de manera confiable incluso en condiciones difíciles. Su excelente adherencia del recubrimiento, su resistencia a la oxidación a alta temperatura y a la corrosión lo convierten en una opción ideal para entornos hostiles. Además, su perfil térmico uniforme y su patrón de flujo de gas laminar previenen la contaminación, asegurando el crecimiento de capas epitaxiales de alta calidad.
El diseño en forma de barril de nuestro reactor epitaxial semiconductor optimiza el flujo de gas, asegurando que el calor se distribuya uniformemente. Esta característica previene eficazmente la contaminación y la difusión de impurezas, garantizando la producción de capas epitaxiales de alta calidad sobre sustratos de obleas.
En VeTek Semiconductor, estamos comprometidos a brindar a los clientes productos rentables y de alta calidad. Nuestro juego de susceptores LPE Si Epi ofrece precios competitivos y al mismo tiempo mantiene una densidad excelente tanto para el sustrato de grafito como para el revestimiento de carburo de silicio. Esta combinación garantiza una protección confiable en entornos de trabajo corrosivos y de alta temperatura.
Propiedades físicas básicas del recubrimiento CVD SiC. | |
Propiedad | Valor típico |
Estructura cristalina | FCC fase β policristalina, principalmente orientada (111) |
Densidad | 3,21 g/cm³ |
Dureza | Dureza Vickers 2500 (carga de 500 g) |
Tamaño de grano | 2~10μm |
Pureza química | 99,99995% |
Capacidad calorífica | 640 J·kg-1·K-1 |
Temperatura de sublimación | 2700 ℃ |
Fuerza flexible | 415 MPa RT de 4 puntos |
El módulo de Young | Curva de 430 Gpa 4 puntos, 1300 ℃ |
Conductividad térmica | 300W·m-1·K-1 |
Expansión Térmica (CTE) | 4,5×10-6K-1 |