Receptor Epi recubierto de SiC

Como principal fabricante nacional de recubrimientos de carburo de silicio y carburo de tantalio, VeTek Semiconductor puede proporcionar mecanizado de precisión y recubrimiento uniforme de Epi Susceptor recubierto de SiC, controlando eficazmente la pureza del recubrimiento y del producto por debajo de 5 ppm. La vida útil del producto es comparable a la del SGL. Bienvenido a consultarnos.

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Descripción del Producto

Puede estar seguro de comprar un susceptor Epi recubierto de SiC en nuestra fábrica.

VeTek Semiconductor SiC Coated Epi Susceptor es un barril epitaxial que es una herramienta especial para el proceso de crecimiento epitaxial de semiconductores con muchas ventajas:

Capacidad de producción eficiente: el Epi Susceptor recubierto de SiC puede acomodar múltiples obleas, lo que permite realizar el crecimiento epitaxial de múltiples obleas simultáneamente. Esta capacidad de producción eficiente puede mejorar en gran medida la eficiencia de la producción y reducir los ciclos y costos de producción.

Control de temperatura optimizado: el Epi Susceptor recubierto de SiC está equipado con un sistema avanzado de control de temperatura para controlar y mantener con precisión la temperatura de crecimiento deseada. El control estable de la temperatura ayuda a lograr un crecimiento uniforme de la capa epitaxial y a mejorar la calidad y consistencia de la capa epitaxial.

Distribución uniforme de la atmósfera: El Epi Susceptor recubierto de SiC proporciona una distribución uniforme de la atmósfera durante el crecimiento, lo que garantiza que cada oblea esté expuesta a las mismas condiciones atmosféricas. Esto ayuda a evitar diferencias de crecimiento entre obleas y mejora la uniformidad de la capa epitaxial.

Control eficaz de impurezas: el diseño del Epi Susceptor recubierto de SiC ayuda a reducir la introducción y difusión de impurezas. Puede proporcionar un buen sellado y control de la atmósfera, reducir el impacto de las impurezas en la calidad de la capa epitaxial y así mejorar el rendimiento y la confiabilidad del dispositivo.

Desarrollo de procesos flexibles: El Epi Susceptor recubierto de SiC tiene capacidades de desarrollo de procesos flexibles que permiten un rápido ajuste y optimización de los parámetros de crecimiento. Esto permite a los investigadores e ingenieros realizar un rápido desarrollo y optimización de procesos para satisfacer las necesidades de crecimiento epitaxial de diferentes aplicaciones y requisitos.

Propiedades físicas básicas del recubrimiento CVD SiC:

Propiedades físicas básicas del recubrimiento CVD SiC.
Propiedad	Valor típico
Estructura cristalina	FCC fase β policristalina, principalmente orientada (111)
Densidad	3,21 g/cm³
Dureza	Dureza Vickers 2500 (carga de 500 g)
Tamaño de grano	2~10μm
Pureza química	99,99995%
Capacidad calorífica	640 J·kg-1·K-1
Temperatura de sublimación	2700 ℃
Fuerza flexible	415 MPa RT de 4 puntos
El módulo de Young	Curva de 430 Gpa 4 puntos, 1300 ℃
Conductividad térmica	300W·m-1·K-1
Expansión Térmica (CTE)	4,5×10-6K-1

Taller de producción de semiconductores VeTek

Descripción general de la cadena de la industria de la epitaxia de chips semiconductores:

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