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Piezas de grafito en forma de media luna con revestimiento de SiC
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Piezas de grafito en forma de media luna con revestimiento de SiC

Como fabricante y proveedor profesional de semiconductores, VeTek Semiconductor puede proporcionar una variedad de componentes de grafito necesarios para los sistemas de crecimiento epitaxial de SiC. Estas piezas de grafito en forma de media luna con revestimiento de SiC están diseñadas para la sección de entrada de gas del reactor epitaxial y desempeñan un papel vital en la optimización del proceso de fabricación de semiconductores. VeTek Semiconductor siempre se esfuerza por ofrecer a los clientes productos de la mejor calidad a los precios más competitivos. VeTek Semiconductor espera convertirse en su socio a largo plazo en China.

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Descripción del Producto

En la cámara de reacción del horno de crecimiento epitaxial de SiC, las piezas de grafito Halfmoon con revestimiento de SiC son componentes clave para optimizar la distribución del flujo de gas, el control del campo térmico y la uniformidad de la atmósfera de reacción. Suelen estar fabricados con revestimiento de SiC.grafito,diseñado en forma de media luna, ubicado en las partes superior e inferior de grafito de la cámara de reacción, rodeando la zona del sustrato.



SiC epitaxial growth furnace schematic diagram

    •Parte superior de grafito en forma de media luna.: instalado en la parte superior de la cámara de reacción, cerca de la entrada de gas, responsable de guiar el gas de reacción para que fluya hacia la superficie del sustrato.

    •Parte inferior de grafito en forma de media luna.: ubicado en el fondo de la cámara de reacción, generalmente debajo del soporte del sustrato, se utiliza para controlar la dirección del flujo de gas y optimizar el campo térmico y la distribución del gas en el fondo del sustrato.


durante elProceso de epitaxia de SiC, la parte superior de grafito en forma de media luna ayuda a guiar el flujo de gas para que se distribuya uniformemente sobre el sustrato, evitando que el gas impacte directamente la superficie del sustrato y provoque sobrecalentamiento local o turbulencia en el flujo de aire. La parte inferior de grafito en forma de media luna permite que el gas fluya suavemente a través del sustrato y luego se descargue, al tiempo que evita que las turbulencias afecten la uniformidad del crecimiento de la capa epitaxial.


En términos de regulación del campo térmico, las piezas de grafito Halfmoon con revestimiento de SiC ayudan a distribuir uniformemente el calor en la cámara de reacción a través de la forma y la posición. La parte superior de grafito en forma de media luna puede reflejar eficazmente el calor radiante del calentador para garantizar que la temperatura sobre el sustrato sea estable. La parte inferior de grafito en forma de media luna también tiene una función similar, ayudando a distribuir uniformemente el calor debajo del sustrato a través de la conducción del calor para evitar diferencias excesivas de temperatura.


El revestimiento de SiC hace que los componentes sean resistentes a altas temperaturas y térmicamente conductores, por lo que las piezas en forma de media luna de VeTek Semiconductor tienen una larga vida útil. Cuidadosamente diseñadas, nuestras piezas de grafito en forma de media luna para epitaxia de SiC se pueden integrar perfectamente en muchos reactores epitaxiales, lo que ayuda a mejorar la eficiencia y confiabilidad general del proceso de fabricación de semiconductores. Cualesquiera que sean sus necesidades de piezas de grafito Halfmoon con revestimiento de SiC, comuníquese con VeTek Semiconductor.


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