Media luna inferior de grafito ultra puro

VeTek Semiconductor es un proveedor líder de media luna inferior de grafito ultra puro personalizado en China y se especializa en materiales avanzados durante muchos años. Nuestra media luna inferior de grafito ultra puro está diseñada específicamente para equipos epitaxiales de SiC, lo que garantiza un rendimiento excelente. Fabricado con grafito importado ultrapuro, ofrece confiabilidad y durabilidad. Visite nuestra fábrica en China para explorar de primera mano nuestra media luna inferior de grafito ultra puro de alta calidad.

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Descripción del Producto

VeTek Semiconductor es un fabricante profesional dedicado a proporcionar media luna inferior de grafito ultra puro. Nuestros productos Ultra Pure Graphite Lower Halfmoon están diseñados específicamente para cámaras epitaxiales de SiC y ofrecen un rendimiento superior y compatibilidad con varios modelos de equipos.

Características:

Conexión: La media luna inferior de grafito ultra puro de VeTek Semiconductor está diseñada para conectarse con tubos de cuarzo, lo que facilita el flujo de gas para impulsar la rotación de la base portadora.

Control de Temperatura: El producto permite el control de temperatura, asegurando condiciones óptimas dentro de la cámara de reacción.

Diseño sin contacto: Instalada dentro de la cámara de reacción, nuestra media luna inferior de grafito ultrapuro no entra en contacto directo con las obleas, lo que garantiza la integridad del proceso.

Escenario de aplicación:

Nuestra media luna inferior de grafito ultra puro sirve como componente crítico en las cámaras epitaxiales de SiC, donde ayuda a mantener el contenido de impurezas por debajo de 5 ppm. Al monitorear de cerca parámetros como el espesor y la uniformidad de la concentración de dopaje, garantizamos capas epitaxiales de la más alta calidad.

Compatibilidad:

La media luna inferior de grafito ultra puro de VeTek Semiconductor es compatible con una amplia gama de modelos de equipos, incluidos LPE, NAURA, JSG, CETC, NASO TECH, etc.

Lo invitamos a visitar nuestra fábrica en China para explorar de primera mano nuestra media luna inferior de grafito ultra puro de alta calidad.

Propiedades físicas básicas del recubrimiento CVD SiC:

Propiedades físicas básicas del recubrimiento CVD SiC.
Propiedad	Valor típico
Estructura cristalina	FCC fase β policristalina, principalmente orientada (111)
Densidad	3,21 g/cm³
Dureza	Dureza Vickers 2500 (carga de 500 g)
Tamaño de grano	2~10μm
Pureza química	99,99995%
Capacidad calorífica	640 J·kg-1·K-1
Temperatura de sublimación	2700 ℃
Fuerza flexible	415 MPa RT de 4 puntos
El módulo de Young	Curva de 430 Gpa 4 puntos, 1300 ℃
Conductividad térmica	300W·m-1·K-1
Expansión Térmica (CTE)	4,5×10-6K-1

Taller de producción de semiconductores VeTek

Descripción general de la cadena de la industria de la epitaxia de chips semiconductores:

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