Paleta voladiza de SiC

La paleta voladiza de SiC de VeTek Semiconductor es un producto de muy alto rendimiento. Nuestra paleta voladiza de SiC se utiliza generalmente en hornos de tratamiento térmico para manipular y soportar obleas de silicio, deposición química de vapor (CVD) y otros procesos de procesamiento en procesos de fabricación de semiconductores. La estabilidad a alta temperatura y la alta conductividad térmica del material de SiC garantizan una alta eficiencia y confiabilidad en el proceso de procesamiento de semiconductores. Estamos comprometidos a ofrecer productos de alta calidad a precios competitivos y esperamos convertirnos en su socio a largo plazo en China.

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Descripción del Producto

Le invitamos a venir a nuestra fábrica Vetek Semiconductor para comprar la paleta voladiza de SiC más vendida, de bajo precio y de alta calidad. Esperamos cooperar con usted.

Características de la paleta voladiza de SiC de VeTek Semiconductor:

Estabilidad a altas temperaturas: Capaz de mantener su forma y estructura a altas temperaturas, adecuado para procesos de procesamiento a altas temperaturas.

Resistencia a la corrosión: Excelente resistencia a la corrosión ante una variedad de productos químicos y gases.

Alta resistencia y rigidez: proporciona un soporte confiable para evitar deformaciones y daños.

Ventajas de la paleta voladiza de SiC de VeTek Semiconductor:

Alta precisión: la alta precisión del procesamiento garantiza un funcionamiento estable en equipos automatizados.

Baja contaminación: el material de SiC de alta pureza reduce el riesgo de contaminación, lo cual es especialmente importante para entornos de fabricación ultralimpios.

Altas propiedades mecánicas: Capaz de soportar ambientes de trabajo hostiles con altas temperaturas y altas presiones.

Aplicaciones específicas de SiC Cantilever Paddle y su principio de aplicación.

Manipulación de obleas de silicio en la fabricación de semiconductores:

La paleta voladiza de SiC se utiliza principalmente para manipular y soportar obleas de silicio durante la fabricación de semiconductores. Estos procesos suelen incluir limpieza, grabado, recubrimiento y tratamiento térmico. Principio de aplicación:

Manipulación de obleas de silicio: la paleta voladiza de SiC está diseñada para sujetar y mover obleas de silicio de forma segura. Durante los procesos de tratamiento químico y de alta temperatura, la alta dureza y resistencia del material de SiC garantizan que la oblea de silicio no se dañe ni deforme.

Proceso de deposición química de vapor (CVD):

En el proceso CVD, se utiliza SiC Cantilever Paddle para transportar obleas de silicio de modo que se puedan depositar películas delgadas en sus superficies. Principio de aplicación:

En el proceso CVD, se utiliza la paleta voladiza de SiC para fijar la oblea de silicio en la cámara de reacción, y el precursor gaseoso se descompone a alta temperatura y forma una película delgada en la superficie de la oblea de silicio. La resistencia a la corrosión química del material SiC garantiza un funcionamiento estable en entornos químicos y de alta temperatura.

Parámetro del producto de la paleta voladiza de SiC

Propiedades físicas del carburo de silicio recristalizado
Propiedad	Valor típico
Temperatura de trabajo (°C)	1600°C (con oxígeno), 1700°C (ambiente reductor)
Contenido de SiC	> 99,96%
Contenido gratuito de Si	<0,1%
Densidad a Granel	2,60-2,70 g/cm3
Porosidad aparente	< 16%
Fuerza comprensiva	> 600MPa
Resistencia a la flexión en frío	80-90 MPa (20°C)
Resistencia a la flexión en caliente	90-100MPa (1400°C)
Expansión térmica @1500°C	4,70 10-6/°C
Conductividad térmica @1200°C	23 W/m·K
Modulos elasticos	240 GPa
Resistencia al choque térmico	Extremadamente bueno