Barco de oblea de carburo de silicio
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Barco de oblea de carburo de silicio

La oblea de carburo de silicio de alta pureza de VeTek Semiconductor está hecha de material de carburo de silicio extremadamente puro con excelente estabilidad térmica, resistencia mecánica y resistencia química. El barco de oblea de carburo de silicio de alta pureza se utiliza en aplicaciones de zonas calientes en la fabricación de semiconductores, especialmente en entornos de alta temperatura, y desempeña un papel importante en la protección de obleas, el transporte de materiales y el mantenimiento de procesos estables. VeTek Semiconductor continuará trabajando arduamente para innovar y mejorar el rendimiento de Silicon Carbide Wafer Boat de alta pureza para satisfacer las necesidades cambiantes de la fabricación de semiconductores. Esperamos convertirnos en su socio a largo plazo en China.

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Descripción del Producto

Como fabricante profesional, VeTek Semiconductor desea ofrecerle obleas de carburo de silicio de alta calidad.

Excelente rendimiento térmico: las obleas de carburo de silicio de alta pureza de VeTek Semiconductor tienen un excelente rendimiento térmico, son estables en entornos de alta temperatura y tienen una excelente conductividad térmica, lo que les permite operar a temperaturas muy superiores a la ambiental. Esto hace que el barco oblea de carburo de silicio de alta pureza sea ideal para aplicaciones de alta potencia y resistencia a altas temperaturas.

Excelente resistencia a la corrosión: la oblea de carburo de silicio de alta pureza es una herramienta clave para la fabricación de semiconductores y tiene una fuerte resistencia a diversos agentes corrosivos. Como portador confiable, puede resistir los efectos de las altas temperaturas y la corrosión en un entorno químico, lo que garantiza el procesamiento seguro y eficaz de obleas de carburo de silicio. Como portador confiable, puede resistir los efectos de las altas temperaturas y la corrosión en un entorno químico, lo que garantiza el procesamiento seguro y eficaz de obleas de carburo de silicio.

Integridad dimensional: La oblea de carburo de silicio de alta pureza no se encoge durante el proceso de sinterización, lo que mantiene la integridad dimensional y elimina las tensiones residuales que podrían provocar que las piezas se deformen o agrieten. Esto permite la fabricación de piezas de formas complejas con dimensiones precisas. Ya sea en la fabricación de dispositivos semiconductores u otros campos industriales, los Wafer Boat de carburo de silicio de alta pureza brindan un control dimensional confiable para garantizar que las piezas cumplan con las especificaciones.

Como herramienta versátil, la oblea de carburo de silicio de alta pureza de VeTek Semiconductor se puede aplicar a una variedad de tecnologías de fabricación de semiconductores, incluido el crecimiento epitaxial y la deposición química de vapor. Su diseño duradero y su naturaleza no reactiva hacen que la oblea de carburo de silicio de alta pureza sea adecuada para una variedad de procesos químicos, lo que garantiza que pueda adaptarse sin problemas a diferentes entornos de procesamiento.

En la fabricación de semiconductores, el crecimiento epitaxial y la deposición química de vapor son pasos comunes del proceso que se utilizan para cultivar obleas y películas delgadas de alta calidad. El barco de SiC de alta pureza desempeña un papel importante como portador, que puede resistir la influencia de altas temperaturas y productos químicos para garantizar procesos precisos de crecimiento y deposición.

Además de su diseño duradero, el barco de SiC de alta pureza tampoco es reactivo. Esto significa que no reaccionará negativamente con los productos químicos del procesamiento, manteniendo así la integridad y el rendimiento de la embarcación. Esto proporciona a los fabricantes de semiconductores una herramienta fiable para garantizar la coherencia y la repetibilidad en el proceso de producción.


Propiedades físicas del carburo de silicio recristalizado

Propiedades físicas del carburo de silicio recristalizado
Propiedad Valor típico
Temperatura de trabajo (°C) 1600°C (con oxígeno), 1700°C (ambiente reductor)
Contenido de SiC > 99,96%
Contenido gratuito de Si <0,1%
Densidad a Granel 2,60-2,70 g/cm3
Porosidad aparente < 16%
Fuerza comprensiva > 600MPa
Resistencia a la flexión en frío 80-90 MPa (20°C)
Resistencia a la flexión en caliente 90-100MPa (1400°C)
Expansión térmica @1500°C 4,70 10-6/°C
Conductividad térmica a 1200°C 23 W/m·K
Modulos elasticos 240 GPa
Resistencia al choque térmico Extremadamente bueno


Taller de producción de semiconductores VeTek


Descripción general de la cadena de la industria de la epitaxia de chips semiconductores:


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