VeTek Semiconductor es un fabricante y proveedor líder de productos de cabezales de ducha de carburo de silicio en China. El cabezal de ducha de SiC tiene una excelente tolerancia a altas temperaturas, estabilidad química, conductividad térmica y buen rendimiento de distribución de gas, lo que puede lograr una distribución uniforme del gas y mejorar la calidad de la película. Por lo tanto, se suele utilizar en procesos de alta temperatura como los procesos de deposición química de vapor (CVD) o deposición física de vapor (PVD). Bienvenido a su consulta adicional.
El cabezal de ducha de carburo de silicio semiconductor VeTek está hecho principalmente de SiC. En el procesamiento de semiconductores, la función principal del cabezal de ducha de carburo de silicio es distribuir uniformemente el gas de reacción para garantizar la formación de una película uniforme durantedeposición química de vapor (CVD)odeposición física de vapor (PVD)procesos. Debido a las excelentes propiedades del SiC, como la alta conductividad térmica y la estabilidad química, el cabezal de ducha de SiC puede funcionar de manera eficiente a altas temperaturas y reducir la desigualdad del flujo de gas durante elproceso de deposición, y así mejorar la calidad de la capa de película.
El cabezal de ducha de carburo de silicio puede distribuir uniformemente el gas de reacción a través de múltiples boquillas con la misma apertura, garantizar un flujo de gas uniforme, evitar concentraciones locales demasiado altas o demasiado bajas y así mejorar la calidad de la película. Combinado con la excelente resistencia a altas temperaturas y la estabilidad química deCVD SiC, no se liberan partículas ni contaminantes durante elproceso de deposición de película, lo cual es fundamental para mantener la pureza de la deposición de la película.
Además, otra ventaja importante del cabezal de ducha CVD SiC es su resistencia a la deformación térmica. Esta característica garantiza que el componente pueda mantener la estabilidad estructural física incluso en entornos de alta temperatura típicos de los procesos de deposición química de vapor (CVD) o deposición física de vapor (PVD). La estabilidad minimiza el riesgo de desalineación o falla mecánica, mejorando así la confiabilidad y la vida útil del dispositivo en general.
Como fabricante y proveedor líder de cabezales de ducha de carburo de silicio en China. La mayor ventaja del cabezal de ducha de carburo de silicio CVD de VeTek Semiconductor es la capacidad de proporcionar productos y servicios técnicos personalizados. Nuestra ventaja de servicio personalizado puede satisfacer los diferentes requisitos de diferentes clientes en cuanto a acabado superficial. En particular, apoya la personalización refinada de tecnologías de procesamiento y limpieza maduras durante el proceso de fabricación.
Además, la pared interior de los poros del cabezal de ducha de carburo de silicio VeTek Semiconductor se trata cuidadosamente para garantizar que no quede una capa de daño residual, lo que mejora el rendimiento general en condiciones extremas. Además, nuestro cabezal de ducha CVD SiC puede lograr una apertura mínima de 0,2 mm, logrando así una excelente precisión en el suministro de gas y manteniendo un flujo de gas óptimo y efectos de deposición de película delgada durante la fabricación de semiconductores.
DATOS SEM DEESTRUCTURA CRISTALINA DE PELÍCULA CVD SIC:
Propiedades físicas básicas de las ECV Recubrimiento de SiC:
Propiedades físicas básicas del recubrimiento CVD SiC. |
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Propiedad |
Valor típico |
Estructura cristalina |
FCC fase β policristalina, principalmente orientada (111) |
Densidad |
3,21 g/cm³ |
Dureza |
Dureza Vickers 2500 (carga de 500 g) |
Tamaño del grano |
2~10μm |
Pureza química |
99,99995% |
Capacidad calorífica |
640 J·kg-1·k-1 |
Temperatura de sublimación |
2700 ℃ |
Resistencia a la flexión |
415 MPa RT de 4 puntos |
Módulo de Young |
Curva de 430 Gpa 4 puntos, 1300 ℃ |
Conductividad térmica |
300W·m-1·k-1 |
Expansión Térmica (CTE) |
4,5×10-6K-1 |
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