VeTek Semiconductor es un fabricante e innovador líder de cabezales de ducha CVD SiC en China. Nos hemos especializado en material de SiC durante muchos años. El cabezal de ducha CVD SiC se elige como material de anillo de enfoque debido a su excelente estabilidad termoquímica, alta resistencia mecánica y resistencia a Erosión por plasma. Esperamos convertirnos en su socio a largo plazo en China.
Puede estar seguro de comprar un cabezal de ducha CVD SiC en nuestra fábrica. El cabezal de ducha VeTek Semiconductor CVD SiC está fabricado de carburo de silicio sólido (SiC) utilizando técnicas avanzadas de deposición química de vapor (CVD). El SiC se elige por su excepcional conductividad térmica, resistencia química y resistencia mecánica, ideal para componentes de SiC de gran volumen como el cabezal de ducha CVD SiC.
Diseñado para la fabricación de semiconductores, el cabezal de ducha CVD SiC resiste altas temperaturas y procesamiento de plasma. Su control preciso del flujo de gas y las propiedades superiores del material garantizan procesos estables y confiabilidad a largo plazo. El uso de CVD SiC mejora la gestión térmica y la estabilidad química, mejorando la calidad y el rendimiento de los productos semiconductores.
El cabezal de ducha CVD SiC mejora la eficiencia del crecimiento epitaxial al distribuir los gases del proceso de manera uniforme y proteger la cámara de la contaminación. Resuelve eficazmente los desafíos de fabricación de semiconductores, como el control de la temperatura, la estabilidad química y la consistencia del proceso, brindando soluciones confiables a los clientes.
Utilizado en sistemas MOCVD, epitaxia de Si y epitaxia de SiC, el cabezal de ducha CVD SiC admite la producción de dispositivos semiconductores de alta calidad. Su función fundamental garantiza la estabilidad y el control preciso del proceso, satisfaciendo los diversos requisitos de los clientes para productos confiables y de alto rendimiento.
Propiedades físicas del SiC sólido | |||
Densidad | 3.21 | g/cm3 | |
Resistividad de la electricidad | 102 | Ω/cm | |
Fuerza flexible | 590 | MPa | (6000 kgf/cm2) |
El módulo de Young | 450 | GPa | (6000 kgf/mm2) |
Dureza Vickers | 26 | GPa | (2650 kgf/mm2) |
CTE (RT-1000 ℃) | 4.0 | x10-6/K | |
Conductividad térmica (RT) | 250 | W/mK |