VeTek Semiconductor es un fabricante e innovador líder de cabezales de ducha de gas SiC sólido en China. Nos hemos especializado en materiales semiconductores durante muchos años. El diseño de porosidad múltiple del cabezal de ducha de gas SiC sólido VeTek Semiconductor garantiza que el calor generado en el proceso CVD se pueda dispersar. , asegurando que el sustrato se caliente de manera uniforme. Esperamos establecernos a largo plazo con usted en China.
VeTek Semiconductor es una empresa integrada dedicada a la investigación, producción y ventas. Con más de 20 años de experiencia, nuestro equipo se especializa en SiC, recubrimientos de TaC y CVD Solid SiC. Bienvenido a comprarnos un cabezal de ducha de gas de SiC sólido.
El cabezal de ducha de gas SiC sólido VeTek Semiconductor se usa comúnmente para distribuir uniformemente gases precursores sobre la superficie del sustrato durante los procesos de CVD de semiconductores. El uso de material CVD-SiC para cabezales de ducha ofrece varias ventajas. Su alta conductividad térmica ayuda a disipar el calor generado en el proceso CVD, asegurando una distribución uniforme de la temperatura en el sustrato. Además, la estabilidad química del cabezal de ducha de gas Solid SiC le permite resistir gases corrosivos y entornos hostiles que se encuentran comúnmente en los procesos CVD. El diseño de los cabezales de ducha CVD-SiC se puede adaptar a sistemas CVD y requisitos de proceso específicos. Sin embargo, normalmente constan de una placa o componente en forma de disco con una serie de orificios o ranuras perforados con precisión. El patrón de orificios y la geometría están cuidadosamente diseñados para garantizar una distribución uniforme del gas y una velocidad de flujo sobre la superficie del sustrato.
Propiedades físicas del SiC sólido | |||
Densidad | 3.21 | g/cm3 | |
Resistividad de la electricidad | 102 | Ω/cm | |
Fuerza flexible | 590 | MPa | (6000 kgf/cm2) |
El módulo de Young | 450 | GPa | (6000 kgf/mm2) |
Dureza Vickers | 26 | GPa | (2650 kgf/mm2) |
CTE (RT-1000 ℃) | 4.0 | x10-6/K | |
Conductividad térmica (RT) | 250 | W/mK |