Anillo de soporte recubierto de SiC

Semiconductores VeTek, un fabricante y proveedor líder con sede en China, se especializa en producir una gama de productos que incluyenAnillos de soporte recubiertos de SiC, recubrimientos de carburo de silicio CVD, recubrimientos de carburo de tantalio, SiC a granel, polvos de SiC y materiales de SiC de alta pureza. Nuestra dedicación radica en ofrecer asistencia técnica integral y resoluciones óptimas de productos adaptados al sector de los semiconductores. No dude en comunicarse con nosotros para obtener más información y asistencia.

Semiconductores VeTek'sAnillos de soporte recubiertos de SiCson una nueva generación de materiales resistentes a altas temperaturas. Como recubrimientos resistentes a la corrosión, recubrimientos resistentes a la oxidación y recubrimientos resistentes al desgaste, se pueden usar en entornos por encima de 1650 ℃ y se usan ampliamente en campos de semiconductores.

Las características de alta calidad deAnillos de soporte recubiertos de SiCJuegan un papel muy importante en el crecimiento epitaxial de los componentes semiconductores de tercera generación.

Mantener la uniformidad de la temperatura.: Los anillos de soporte recubiertos de SiC tienen una excelente conductividad térmica y pueden proporcionar una distribución uniforme de la temperatura durante el crecimiento epitaxial. Esto ayuda a reducir los gradientes térmicos y las tensiones en la superficie de la oblea, mejorando así la calidad de la capa epitaxial.

Estabilidad química extrema: Durante el proceso de crecimiento epitaxial,Anillos de soporte recubiertos de SiCson capaces de resistir el ataque químico de los gases de reacción, extendiendo la vida útil de los anillos de soporte y manteniendo la integridad del proceso. Esta estabilidad química ayuda a reducir el riesgo de contaminación y mejorar la pureza y el rendimiento de los dispositivos semiconductores.

Posicionamiento preciso: Los anillos de soporte recubiertos de SiC pueden mantener el posicionamiento preciso de la oblea, lo cual es fundamental para lograr una deposición uniforme de la capa. Este posicionamiento preciso ayuda a garantizar la consistencia del espesor y la calidad de la capa epitaxial.

Propiedades físicas básicas del recubrimiento CVD SiC.:

Taller de producción de semiconductores VeTek:

Descripción general de la cadena de la industria de la epitaxia de chips semiconductores: